标签:先进的节点

芯片上的功率分布建模成为基本低于7海里
通过安Mutschler- 2022年11月16日-评论:0

建模配电soc正变得越来越重要在每个新节点和3 d-ics,涉及权力的公差都更紧,和任何错误可能会导致故障。在成熟的节点,有更多的金属,电力问题仍然是罕见的。但高级节点,芯片仍然运行在更高的频率和消费相同或更大的权力……»阅读更多

线边缘粗糙度的影响研究在金属线路电阻使用虚拟制造
通过Coventor9月- 15,2022 -评论:0

BEOL金属线RC延迟已成为主导因素限制芯片运行速度在高级节点。这是因为小金属球需要窄线CD和两线间间距,介绍高金属线路电阻和相间电容。表面散射效应的根本原因是成倍地增加金属电阻率较小的金属线距…»阅读更多

在基于机器学习方法来克服有限标记数据集光学临界尺寸计量
通过上的创新- 07年9月,2022 -评论:0

积极扩展的半导体器件,器件结构的日益复杂化,加上严格的计量误差预算推高了光学临界尺寸(OCD)的时间来解决一个关键时刻。机器学习(ML),由于其快速好转,已成功应用于强迫症计量作为替代解决传统物理…»阅读更多

小说电子束技术检查和监控
通过PDF的解决方案2022年5月- 09年-评论:0

在本文中,我们报告一个先进的电子束缺陷检查工具(eProbe®250)和Design-for-Inspection™(DFI)系统已经被PDF构建和部署解决方案4海里FinFET技术节点。这个工具有一个非常高的吞吐量,允许内联检验纳米级缺陷的最先进的技术节点。我们还展示了eProbe申请…»阅读更多

先进的高通量与DirectScan电子束检验
通过PDF的解决方案- 08年3月,2022 -评论:0

光学检验不能解决关键缺陷高级节点,不能探测地下的缺陷。特别是在7海里和下面,许多产量和可靠性杀手缺陷光刻技术之间的相互作用的结果,蚀刻,填补。这些缺陷通常会有一部分失败利率每十亿含量水平。传统eBeam工具缺乏PPB级吞吐量测量失败。一个……»阅读更多

创新的双重标志设计先进光刻对准验证和过程监控
通过联华电子- 7月21日,2021 -评论:0

改善产品覆盖是一个关键的挑战时收缩技术在半导体制造节点。智能位置调节标记对X和Y方向,可以确定intra-wafer wafer-by-wafer扭曲。测量和建模应用结果直接作为前馈校正,使晶圆级控制。在这个p…»阅读更多

低功率芯片:小心
通过安Mutschler- 08年7月,2021 -评论:0

低功耗设计高级节点和高级包装成为一个多方面的,多学科的挑战,一长串的问题需要解决个人和上下文中的其他问题。随着每一个新的前沿流程节点,越来越密集的包装,潜在的问题越来越多的交互。这反过来会导致贫穷的收益率,因为……»阅读更多

监控性能从芯片内部
通过埃德·斯珀林- 01年6月,2021 -评论:0

深度数据,生成芯片内部而不是外部,变得越来越重要在每个新流程节点和先进的包。首席战略官尤兹巴鲁克proteanTecs,与半导体工程使用这些数据来识别潜在的问题才导致失败,为什么要监视这些设备在他们……»阅读更多

新颖的蚀刻技术利用原子层过程先进的模式
通过电话12月17日,2020 -评论:0

我们演示了高选择性和各向异性等离子体腐蚀氮化硅和碳化硅。证明过程由一系列离子改性和化学除干燥步骤。的氮化硅腐蚀与H离子改性二氧化硅和SiC电影显示出高选择性。此外,我们已经开发出的选择性腐蚀与N离子改性碳化硅。另一方面,在模式的腐蚀过程中,…»阅读更多

降低节点驱动时间验收软件演化过程
通过Synopsys对此11月- 10,2020 -评论:0

设计复杂性急剧上升导致一系列新的挑战,影响签收可以预见的能力满足PPA的目标。较小的技术节点,较大的设计尺寸造成的角落和模式数量呈现指数级增长导致更长时间签收的周转时间。此外,较大的设计尺寸要求签收时间的巨大计算资源。我…»阅读更多

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