在工艺模拟分裂实验中，通过改变金属线CDs和金属线材料，研究了LER对金属线电阻的影响。
BEOL金属线RC延迟已成为限制先进节点芯片运算速度的主要因素。这是因为较小的金属线间距需要更窄的线CD和线对线间距，这引入了更高的金属线电阻和线对线电容。表面散射效应是在较小金属线间距时金属电阻率指数增加的根本原因，因为如果电子更接近金属线表面，它们更有可能被金属线表面散射。金属线CD优化和改变金属材料的选择可以用来缓解这一问题。然而，金属线CD不仅受到金属间距的限制，而且还受到与线对线电容的权衡，因此这些参数的调整空间有限。可以使用不同的金属材料来解决这个问题，但是在工艺开发过程中需要时间来使这些新的金属与当前的半导体BEOL工艺技术兼容。线边缘粗糙度也是决定电子表面散射和后续线电阻率的重要因素。在本研究中，我们在工艺模拟分裂实验中，通过改变金属线CDs和金属线材料，研究了LER对金属线电阻的影响。
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