标签:直线边缘粗糙度

测量3 d侧壁地形& l对光刻胶使用Tip-Tilting AFM技术模式
通过技术论文链接2月19日,2023 -评论:0

新技术论文题为“提高光刻胶的3 d井壁测量精度与tip-tilting使用原子力显微镜技术”日本国家计量研究院的研究人员(NMIJ)和国家先进工业科学技术(巨大)。“我们已经开发出一种技术,使用原子测量井壁的抵抗模式……»阅读更多

期待相比
通过凯瑟琳德比郡2023年2月- 16(-评论:0

今年的前夕有先进光刻+模式会议上,我看了看IEEE设备和系统路线图的光刻技术部分。尤其引人注目的EUV光刻技术的出现,已迅速成为先进逻辑的关键。High-NA工具以支持更小的尺寸。不过,在近期的关键挑战不是……»阅读更多

线边缘粗糙度(l)如何影响半导体性能先进的节点?
通过玉德陈——2022年9月26日-评论:0

BEOL金属线RC延迟已成为主导因素,限制了芯片的性能先进节点[1]。小金属球需要窄线CD和线间间距,介绍高金属线路电阻和线间电容。这是显示在图1中,它显示了一个模拟线路电阻与直线CD不同BEOL金属。即使没有……»阅读更多

线边缘粗糙度的影响研究在金属线路电阻使用虚拟制造
通过Coventor9月- 15,2022 -评论:0

BEOL金属线RC延迟已成为主导因素限制芯片运行速度在高级节点。这是因为小金属球需要窄线CD和两线间间距,介绍高金属线路电阻和相间电容。表面散射效应的根本原因是成倍地增加金属电阻率较小的金属线距…»阅读更多

与白光干涉法测量表面粗糙度的优点
通过力量- 09年8月,2022 -评论:0

测量表面粗糙度的概念起源于近一个世纪前,以防止不确定性和制造商和买家之间的纠纷。现在,它已经成为一种常见的标识符在行业用于验证生产过程,确认遵守内部和监管规范,保证最终产品的质量和性能。主观的……»阅读更多

更快的收益率坡道策略5 nm芯片
通过劳拉·彼得斯4月- 12,2022 -评论:0

主要芯片制造商台积电和三星在高容量生产5纳米设备生产和台积电它正在稳步推进计划年底前前3纳米硅。但以满足这种积极的目标,工程师必须确定缺陷和斜坡产生的速度比以前更快了。对付EUV随机缺陷——无重复模式的缺陷,如微桥断了线,或失踪……»阅读更多

发现,预测EUV随机缺陷
通过马克LaPedus- 6月17日,2021 -评论:0

一些厂商推出下一代检验系统和软件,定位有问题的芯片缺陷引起的在极端紫外线(EUV)光刻过程。每个缺陷检测技术包括各种权衡。但必须使用一个或多个他们的工厂。最终,这些所谓的stochastic-induced缺陷引起的EUV可以影响性能…»阅读更多

检查、模式EUV掩
通过马克LaPedus- 06年11月2019 -评论:0

半导体工程坐下来讨论光刻和布莱恩Kasprowicz光掩模的趋势,技术总监和策略和一个杰出的成员在光电池的技术人员;托马斯•Scheruebl蔡司战略业务发展和产品战略主管;资深技术专家平Nakayamada NuFlare;和阿基》d2的首席执行官。符合什么……»阅读更多

随机过程变化对传输特性的影响的一个基本光子集成电路组件
通过Coventor- 9月18日,2019 -评论:0

硅光子学正迅速成为一个有前途的技术,高带宽,低能量,低延迟通信和信息处理和其他应用程序。在硅光子学,现有CMOS生产基础设施和技术杠杆。然而,硅光子学的一个关键挑战是缺乏成熟的模型,考虑到已知的CMOS公关……»阅读更多

目标:记忆力下降50%
通过布莱恩•贝利- 11年4月,2019 -评论:3

内存消耗约50%或更多的地区,约有50%的一个SoC的力量,这些百分比可能会增加。问题是静态随机存取存储器(SRAM)没有按照摩尔定律,这不会改变。此外,许多设备没有追逐最新的节点和力量变得越来越关注,业界必须找到方法…»阅读更多

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