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线边缘粗糙度(LER)如何影响高级节点的半导体性能?


在高级节点[1]上,BEOL金属线RC延迟已成为限制芯片性能的主要因素。较小的金属线间距需要更窄的线CD和线与线之间的间距,这就引入了更高的金属线电阻和线与线之间的电容。图1演示了这一点,其中显示了不同BEOL金属之间的线电阻与线CD的模拟。即使没有……»阅读更多

评估STI隐窝轮廓控制对高级FinFET性能的影响


廓形变化是半导体器件制造和规模化过程中最重要的问题之一。这些变化会降低芯片成品率和器件性能。虚拟制造技术可以非常有效和经济地研究晶圆轮廓的变化,避免工艺周期时间和晶圆成本。在这篇短文中,我们将回顾性传播疾病的影响。»阅读更多

用于3D NAND器件的高级图形技术


在摩尔定律的驱动下,存储器和逻辑半导体制造商追求更高的晶体管密度,以提高产品成本和性能[1]。在NAND闪存技术中,这导致了3D结构的市场主导地位,而不是2D平面器件。通过增加3D NAND器件[2]中的堆栈层数,可以线性增加器件密度。在th…»阅读更多

先进的3D设计技术协同优化可制造性


作者:陈宇德,Jacky Huang,赵大龙,谷江江(Jimmy)和Joseph Ervin成品率和成本一直是半导体产品制造商和设计师的关键因素。这是一个持续的挑战,以满足产量和成本的目标,由于新的设备结构和工艺创新的复杂性日益增加,以实现改进的产品性能。»阅读更多

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