新技术论文题为“垂直GeSn纳米线场效电晶体硅CMOS之外”由彼得·格伦伯格研究所研究人员9日发表hara亚琛工业大学,东航,LETI,格勒诺布尔大学阿尔卑斯,利兹大学,IHP。
“在这里,我们目前的高性能,垂直纳米线gate-all-around基于GeSn-material系统生长在硅场效应晶体管。虽然p-FET跨导增加到850µS /µm利用的小带隙GeSn源产生高注射速度,n-FETs增加2.5倍的流动与通用电气参考设备相比,通过使用GeSn通道材料。材料体系的潜力为未来除了硅CMOS逻辑和量子计算应用程序演示了通过GeSn逆变器和陡峭的开关在低温下,分别”。
发现技术纸在这里。2023年2月出版。
刘,M。垃圾,Y。,汉族,y . et al。垂直GeSn纳米线场效电晶体硅CMOS之外。Commun Eng 2 7 (2023)。https://doi.org/10.1038/s44172 - 023 - 00059 - 2。
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