垂直纳米线Gate-All-Around基于GeSn-Material系统生长在硅场效应晶体管


新技术论文题为“垂直GeSn纳米线场效电晶体硅CMOS之外”由彼得·格伦伯格研究所研究人员9日发表hara亚琛工业大学,东航,LETI,格勒诺布尔大学阿尔卑斯,利兹大学,IHP。“在这里,我们目前的高性能,垂直纳米线gate-all-around基于GeSn-material系统生长在硅场效应晶体管。虽然p-FET transcon……»阅读更多

Nanosheet GeSn pTFTs:高性能,低热量预算


新技术论文题为“非常高性能Nanosheet GeSn薄膜晶体管”从国家杨明交通大学的研究人员和其他人。抽象的“高性能p型薄膜晶体管(pTFTs)是至关重要的实现低功耗display-on-panel和整体三维集成电路。不幸的是,很难实现高洞……»阅读更多

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