新技术论文题为“非常高性能Nanosheet GeSn薄膜晶体管”从国家杨明交通大学的研究人员和其他人。
文摘
“高性能p型薄膜晶体管(pTFTs)是至关重要的实现低功耗display-on-panel和整体三维集成电路。不幸的是,很难实现高的空穴迁移率大于10厘米2/ V·s,即使对于SnO日前与一个独特的单孔乐队和有效质量的一个小洞。在本文中,我们演示了一个高性能GeSn pTFT场效应高的空穴迁移率(μFE), 41.8厘米2/ V·s;大幅刺激阈下的斜率(SS) 311 mV / 12月,为低压操作;和一个大当前/上(我在/我从)值,8.9×106。我非常高在/我从是通过使用一个超薄nanosheet GeSn,厚度只有7海里。尽管一个更高的空穴迁移率(103.8厘米2/ V·s)获得厚GeSn频道,我从增加迅速,可怜的我在/我从(75)是不适合晶体管的应用程序。高流动性是由于小洞GeSn有效质量,采用基于支持的电子结构计算。”
找到这里的技术论文。2022年1月出版。
日元,T.J.;下巴,a;Chan W.K.;陈、H.-Y.T;Gritsenko,诉非常高性能Nanosheet GeSn薄膜晶体管。纳米材料2022,261。https://doi.org/10.3390/nano12020261。
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