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标签:单片3 d-ic

Nanosheet GeSn pTFTs:高性能,低热量预算
通过技术论文链接- 5月23日,2022 -评论:0

新技术论文题为“非常高性能Nanosheet GeSn薄膜晶体管”从国家杨明交通大学的研究人员和其他人。抽象的“高性能p型薄膜晶体管(pTFTs)是至关重要的实现低功耗display-on-panel和整体三维集成电路。不幸的是,很难实现高洞……»阅读更多

3 d-ic设计挑战和要求
通过节奏- 10月27日,2021 -评论:0

要求加速提高密度、更高的带宽和更低的权力,很多集成电路设计和包装团队正在密切关注垂直叠加多个芯片和chiplets。这种技术称为3 d-ic,承诺许多优势传统单模拉平面设计。一些人使用“More-than-Moore”这个词来形容这种新技术的潜力。蒙特卡罗……»阅读更多

寻找下一个晶体管
通过马克LaPedus2014年2月- 20(-评论:3

在短期内,尖端芯片路线图看起来相当清楚。基于今天的finFETs和芯片平面完全耗尽的绝缘体(FDSOI)技术将缩小到10 nm节点。但是,CMOS路线图变得雾蒙蒙的7海里。这个行业一直在探索新一代晶体管候选人,但突然,一些技术……»阅读更多

Leti轮廓FDSOI和单片3 d IC路线图
通过马克LaPedus11月- 14,2013 -评论:0

半导体工程讨论了完全耗尽的未来路线图绝缘体(FDSOI)技术和单片3 d芯片与莫德Vinet CEA-Leti创新设备实验室经理。SE:正在开发的一些技术创新设备实验室吗?Vinet:创新设备实验室参与先进CMOS。所以基本上……»阅读更多

动量构建为单片3 d ICs
通过马克LaPedus11月- 14,2013 -评论:1

2.5 d / 3 d芯片市场在若干领域正在升温。在一个方面,使用在矽stacked-die通过(tsv)扎根。在一个单独的区域,三星是世界首部3 d采样NAND闪存设备,与微米和SK海力士将效仿。现在,还有另一个技术生成steam-monolithic 3 d集成电路。在stacked-die,裸死连接使用……»阅读更多

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