标签:nanosheet

减少接触电阻在发展中基于2 d晶体管材料
通过技术论文链接2023年3月- 10 -评论:0

新技术论文题为“二硫化钨与硫原子晶体管取代界面:采用基于量子传输研究”是国家杨明交通大学研究人员公布的。抽象的“减少接触电阻的主要挑战之一是在发展中基于二维晶体管材料。在这项研究中,我们采用基于……»阅读更多

建模波动来源对棉酚的电特性的影响如果使用ANN-Based毫升NS mosfet
通过技术论文链接- 07年9月,2022 -评论:0

研究者从国家杨明交通大学(台湾)发表了一篇技术论文题为“机器学习方法建模的内在参数波动Gate-All-Around Si Nanosheet mosfet。”"This study has comprehensively analyzed the potential of the ANN-based ML strategy in modeling the effect of fluctuation sources on electrical characteristics of GAA Si NS MOSF...»阅读更多

基于人工神经网络(ANN)的模型来评估的特征Nanosheet场效应晶体管(NSFET)
通过技术论文链接- 02年9月,2022 -评论:0

这种新技术论文题为“Machine-Learning-Based紧凑型建模Sub-3-nm-Node新兴晶体管”是韩国成均馆大学的研究人员发表的朝鲜。文摘:在这篇文章中,我们提供了一个基于人工神经网络(ANN)的紧凑的模型来评估的特征nanosheet场效应晶体管(NSFET),一直强调作为next-generat……»阅读更多

FEOL Nanosheet流程&挑战要求计量解决方案(IBM Watson)
通过技术论文链接- 08年7月,2022 -评论:0

新技术论文题为“审查nanosheet计量技术准备的机会,”来自IBM的研究员托马斯·沃森Ctr的研究。(美国)。文摘(部分):“超过先前的技术,那么,nanosheet技术可能是当一些离线技术从实验室到工厂,因为某些关键测量需要实时监控。T…»阅读更多

Nanosheet GeSn pTFTs:高性能,低热量预算
通过技术论文链接- 5月23日,2022 -评论:0

新技术论文题为“非常高性能Nanosheet GeSn薄膜晶体管”从国家杨明交通大学的研究人员和其他人。抽象的“高性能p型薄膜晶体管(pTFTs)是至关重要的实现低功耗display-on-panel和整体三维集成电路。不幸的是,很难实现高洞……»阅读更多

内部间隔工程改善机械稳定频道发布的版本的过程Nanosheet场效应晶体管
通过技术论文链接- 8月28日,2021 -评论:0

抽象的“机械应力是在制造过程中nanosheet场效应晶体管。特别是,不必要的机械不稳定源于重力在频道发布的版本被援助的详细介绍三维模拟。仿真结果显示暂停nanosheets的身体弱点和nanosheet厚度的影响。内部间隔工程基于geometr……»阅读更多

推进到3 nm节点和超越:技术,挑战和解决方案
通过迈克尔Hargrove8月19日,2021 -评论:0

似乎昨天finFETs被缩小设备比例限制的答案长度和所需的静电学门。finFETs开始在22 nm节点的引入,并一直持续到7 nm节点。除了7海里,它看起来像nanosheet设备结构将用于至少5 nm,可能3 nm节点。nanosheet设备结构brainc……»阅读更多

堆叠Nanosheets和Forksheet场效应晶体管
通过凯瑟琳德比郡8月19日,2021 -评论:0

后接下来gate-all-around场效应晶体管仍在制定当中,但它可能会涉及一些版本的堆叠nanosheets。先进的晶体管的设计是一个权衡。一方面,它花费更少的栅极电容控制薄通道。另一方面,薄薄的渠道不能携带尽可能多的驱动电流。堆叠nanosheet试图调和这两个目标的设计……»阅读更多

5和3 nm
通过马克LaPedus- 24小君,2019 -评论:16

先进铸造供应商正在准备下一波的过程,但是他们的客户将面临无数的困惑(包括开发芯片是否在5 nm,等到3海里,或选择介于两者之间。5 nm的道路是明确的与3海里。之后,风景变得更复杂,因为铸造厂是添加half-node过程,如6海里……»阅读更多

制造:1月2
通过马克LaPedus1月- 02年,2019 -评论:0

更好的纳米线场效应管在最近的IEEE国际电子设备会议(IEDM) Imec和应用材料发表了一篇论文在一个新的和改进的方法制造垂直堆叠gate-all-around mosfet。更具体地说,Imec和应用报道过程改进的硅纳米线场效应晶体管,集成在一个CMOS双功函数金属替代ga……»阅读更多

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