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标签:gate-all-around场效应晶体管

哪家铸造厂领先?视情况而定。
通过埃德·斯珀林- 2022年10月26日-评论:2

数十亿美元的代工领导权争夺战正变得越来越复杂，很难在任何时候确定哪家公司处于领先地位，因为需要权衡的因素太多了。这在很大程度上反映了前沿客户基础的变化，以及对特定领域设计的推动。过去，像苹果这样的公司，谷歌…»阅读更多

谁受益于小芯片，何时受益
通过埃德·斯珀林- 2022年5月31日-意见:0

与会专家:Semiconductor Engineering坐下来与Cadence总裁兼首席执行官Anirudh Devgan讨论新的封装方法和集成问题;西门子EDA执行副总裁Joseph Sawicki;Niels Faché， Keysight副总裁兼总经理;Arm顾问西蒙•西格斯;以及D2S董事长兼首席执行官藤村昭。这次讨论是在一个…»阅读更多

下一代晶体管
通过埃德·斯珀林- 2022年3月7日-评论:0

纳米片，或者更一般地说，栅极全能fet，标志着最先进节点晶体管结构的下一个重大转变。Lam Research计算产品副总裁David Fried与《半导体工程》杂志讨论了使用这些新型晶体管的优势，以及未来节点的无数挑战，特别是在计量领域。»阅读更多

晶体管和芯片的下一步是什么
通过马克LaPedus- 2021年10月21日-意见:5

Imec CMOS技术高级副总裁Sri Samavedam接受了《半导体工程》杂志的采访，讨论了finFET缩放、栅极全能晶体管、互连、封装、芯片和3D soc。以下是那次讨论的节选。SE:半导体技术路线图正朝着几个不同的方向发展。我们有传统的逻辑缩放，但包装…»阅读更多

与3nm的模拟技术角力
通过布莱恩•贝利- 2021年9月9日-评论:0

模拟工程师在3nm工艺上面临着巨大的挑战，这迫使他们在每个新工艺节点上提出创造性的解决方案，以解决越来越多的问题。尽管如此，这些问题必须得到解决，因为任何数字芯片都离不开至少一些模拟电路。随着制造技术的萎缩，数字逻辑在功率、性能和面积的某些组合上得到了改进。这个过程…»阅读更多

GAA晶体管在3/2nm的影响
通过布莱恩•贝利- 2021年8月16日-评论

随着栅极全能(GAA) fet取代3nm及以下的finfet，芯片行业将迎来晶体管结构的另一次变化，这为设计团队带来了一系列需要充分理解和解决的新挑战。GAA fet被认为是finfet的一个进化阶段，但对设计流程和工具的影响仍然预计是重大的。GAA fet将提供…»阅读更多

采用2D半导体的更薄通道
通过凯瑟琳德比郡- 2021年6月21日-评论:0

迁移到未来的节点需要的不仅仅是更小的特性。在3/2nm及更远的工艺上，可能会添加新材料，但具体是哪种新材料，以及何时加入，将取决于全球大学和公司正在进行的材料科学研究的爆发。用场效应晶体管，施加在栅极上的电压在通道中产生电场，使禁带弯曲。»阅读更多

晶体管和集成电路架构的未来
通过马克LaPedus- 2021年3月18日-评论

《半导体工程》杂志与英伟达制造与工业全球业务发展主管陈杰(Jerry Chen)坐下来讨论了芯片缩放、晶体管、新架构和封装;Lam Research计算产品副总裁David Fried;KLA营销和应用副总裁Mark Shirey;以及D2S首席执行官藤村昭。以下是节选…»阅读更多

打破2纳米的障碍
通过马克LaPedus- 2021年2月18日-评论

芯片制造商在最新的工艺节点上继续利用晶体管技术取得进步，但这些结构内部的互连却难以跟上步伐。芯片行业正在研究几种技术来解决互连瓶颈，但其中许多解决方案仍处于研发阶段，可能在一段时间内不会出现——可能要到2nm才能出现。»阅读更多

3nm/2nm新晶体管结构
通过马克LaPedus- 2021年1月25日-意见:12

几家代工厂继续开发基于下一代栅极全能晶体管的新工艺，包括更先进的高移动性版本，但将这些技术投入生产将是困难和昂贵的。英特尔，三星，台积电和其他公司正在为从今天的finFET晶体管过渡到新的门全能场效应转换奠定基础。»阅读更多

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