芯片产业的技术论文摘要:4月18日


新技术论文最近添加到半导体工程图书馆:[表id = 93 /]如果你有研究论文你努力推广,我们将检查它们是否适合我们的全球观众。至少,论文需要研究和记录,与半导体相关的生态系统,和自由市场的偏见。没有成本involv……»阅读更多

垂直纳米线Gate-All-Around基于GeSn-Material系统生长在硅场效应晶体管


新技术论文题为“垂直GeSn纳米线场效电晶体硅CMOS之外”由彼得·格伦伯格研究所研究人员9日发表hara亚琛工业大学,东航,LETI,格勒诺布尔大学阿尔卑斯,利兹大学,IHP。“在这里,我们目前的高性能,垂直纳米线gate-all-around基于GeSn-material系统生长在硅场效应晶体管。虽然p-FET transcon……»阅读更多

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