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测量3 d侧壁地形& l对光刻胶使用Tip-Tilting AFM技术模式
通过技术论文链接2月19日,2023 -评论:0

新技术论文题为“提高光刻胶的3 d井壁测量精度与tip-tilting使用原子力显微镜技术”日本国家计量研究院的研究人员(NMIJ)和国家先进工业科学技术(巨大)。“我们已经开发出一种技术,使用原子测量井壁的抵抗模式……»阅读更多

线边缘粗糙度(l)如何影响半导体性能先进的节点?
通过玉德陈——2022年9月26日-评论:0

BEOL金属线RC延迟已成为主导因素,限制了芯片的性能先进节点[1]。小金属球需要窄线CD和线间间距,介绍高金属线路电阻和线间电容。这是显示在图1中,它显示了一个模拟线路电阻与直线CD不同BEOL金属。即使没有……»阅读更多

线边缘粗糙度的影响研究在金属线路电阻使用虚拟制造
通过Coventor9月- 15,2022 -评论:0

BEOL金属线RC延迟已成为主导因素限制芯片运行速度在高级节点。这是因为小金属球需要窄线CD和两线间间距,介绍高金属线路电阻和相间电容。表面散射效应的根本原因是成倍地增加金属电阻率较小的金属线距…»阅读更多

发现,预测EUV随机缺陷
通过马克LaPedus- 6月17日,2021 -评论:0

一些厂商推出下一代检验系统和软件,定位有问题的芯片缺陷引起的在极端紫外线(EUV)光刻过程。每个缺陷检测技术包括各种权衡。但必须使用一个或多个他们的工厂。最终,这些所谓的stochastic-induced缺陷引起的EUV可以影响性能…»阅读更多

随机过程变化对传输特性的影响的一个基本光子集成电路组件
通过Coventor- 9月18日,2019 -评论:0

硅光子学正迅速成为一个有前途的技术,高带宽,低能量,低延迟通信和信息处理和其他应用程序。在硅光子学,现有CMOS生产基础设施和技术杠杆。然而,硅光子学的一个关键挑战是缺乏成熟的模型,考虑到已知的CMOS公关……»阅读更多

通过流程建模分析最坏的硅光子设备性能和光学仿真
通过瑞恩•米勒——2019年1月24日——评论:0

硅光子学是一个新兴和国门面向设计平台,承诺支持更高的通信和其他应用程序。硅光子学的最好的品质之一是利用现有的能力互补金属氧化物半导体制造设备和流程流。然而,这意味着它是相同的过程缺陷和变化。以前的博文(参考文献1、2……»阅读更多

随机过程变化对传输特性的影响的一个基本光子集成电路组件
通过Coventor——2019年1月24日——评论:0

硅光子学正迅速成为一个有前途的技术,高带宽,低能量,低延迟通信和信息处理和其他应用程序。在硅光子学,现有CMOS生产基础设施和技术杠杆。然而,硅光子学的一个关键挑战是缺乏成熟的模型,考虑到已知的CMOS公关……»阅读更多

EUV领域的新问题
通过马克LaPedus——3月19日,2018 -评论:2

极端紫外线(EUV)光刻正在接近生产,但问题的变化,还被称为随机赶超重修的迟来的技术,创造更多的挑战。GlobalFoundries、英特尔、三星和台积电希望插入[gettech id = " 31045 "评论= " EUV "] 7纳米光刻技术投入生产和/或5海里。但是,EUV由几种混合涂料……»阅读更多

模式问题堆积起来
通过马克LaPedus3月- 20,2017 -评论:4

芯片制造商增加16 nm / 14 nm finFET过程,与10 nm和7海里现在进入早期生产。但在10纳米,芯片制造商正面临着一系列新的问题。而萎缩的特征尺寸的设备到10纳米,7海里,5海里,也许除了使用当前和未来可能的工厂设备,似乎没有一个简单的方法来解决边缘位置误差(EPE)…»阅读更多

Fractilia:粗糙度计量模式
通过马克LaPedus- 2月21日,2017 -评论:1

出现了一种新的创业和公布了一项技术,地址的一个更大的但不理解先进光刻——模式粗糙度的问题。启动名为Fractilia,是一个基于软件的计量工具,分析了CD-SEM晶片粗糙的图像模式。Fractilia,自筹资金启动,由克里斯·麦克和坦率的。麦克,被称为绅士sc……»阅读更多

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