平专家克里斯·麦克已经开始一个新的公司地址直线边缘粗糙度(l)。
出现了一种新的创业和公布了一项技术,地址的一个高级lithography-pattern粗糙度大但不理解问题。
启动,叫Fractilia,是一个基于软件的计量工具,分析了CD-SEM晶片粗糙的图像模式。Fractilia,自筹资金启动,由克里斯·麦克和坦率的。麦克,被称为绅士科学家,运行自己的咨询公司,Lithoguru.com,在过去的12年。麦克是Fractilia的首席技术官。
炭的是创业公司的首席执行官。1990年,麦克Finle成立技术、光刻模拟公司在2000年被KLA-Tencor收购。炭的也是Finle的一部分,后来一位高管KLA-Tencor一段时间。
同时,Fractilia聚焦模式粗糙度问题对光学和极端紫外线光刻技术(EUV)。模式粗糙度问题并有充分的理由。的一个问题,可能会妨碍最终插入EUV。
高级节点模式过程中,芯片制造商使用今天的193 nm浸没式光刻扫描仪和多个模式。7点和/或5 nm,业界希望插入EUV。这些光刻系统打印小晶片功能。在模式过程中,不光滑的特性。这是有时被称为模式粗糙度。粗糙度描述模式的变异量的边缘特征。
模式粗糙度的主要类型包括直线边缘粗糙度(l),线宽粗糙度(轻水反应堆)和模式位置粗糙度(PPR)。勒,一个问题是定义为一个偏离理想形状的功能优势。
总之,模式粗糙度可以半导体性能的影响和收益率10纳米以下。“我们都知道,功能越来越小,但模式粗糙度不是变得越来越小。模式粗糙度是开始成为一个更大的部分模式,正在印刷,”麦克说。”,在光刻技术的各个方面,成为一个严重的问题。真是一个困难的问题,没有一个解决方案。”
在EUV l是一个大问题。一般来说,EUV推迟了缺乏足够的电源。最重要的是,EUV抗拒是有限的敏感性。“在EUV,你遭受收益由于随机现象,直线边缘粗糙度和接触孔粗糙度引起光子散粒噪声和其他来源,”他说。
在解决问题是开发更好的EUV抗拒和/或EUV来源与更多的权力。两种解决方案,在理论上,可以减少l。但是等待更高的电源和更好的抵制可能会推迟EUV进一步的插入。
另一个解决方案是使用今天的EUV扫描仪和抗拒。反过来,这可能会产生一些粗糙度特性,但目前还不清楚如果这些模式是可以接受的保真度和产量。
一个解决方案
虽然粗糙度模式仍是一个问题,Fractilia至少解决一个粗糙度problem-measuring模式的一部分。“解决措施和减少它一直难以捉摸的,”他说。
通常,该行业使用传统CD-SEM粗糙度测量模式。但随着电子与抵制在交互模式,图像的信噪比成为一个问题,吵了。
反过来,生产CD的偏见,这是实际的和测量值之间的差别。“我们几乎一直生活在这个测量很长一段时间,但它不再是足够的,”他说。
为了解决这个问题,Fractilia已经推出了其第一product-MetroLER。这是一个软件工具来分析粗糙度CD-SEM图像模式。工具使用CD-SEMs从应用材料、日立等等。
针对193海里浸泡和EUV, MetroLER利用物理和统计数据的算法。基本上,该工具将错误的CD-SEM错误石印的特性。“我的统计噪声的扫描电镜和系统性的扭曲,也出现在SEM。这些组件都是被分离出来。剩下的就是一个真实的照片到底是什么晶片或真正的粗糙度是什么,”麦克说。“在许多情况下,你最终的价值得到真正的粗糙度的晶片,或者我们称之为无偏粗糙度,小于你所看到的表面粗糙度就由扫描电镜测量。”
MetroLER不仅可以进行测量,但它也可以预测设备的特性。“这将使预测这个粗糙度将如何影响设备功能,”他说。
这对EUV是关键。“好计量的起点粗糙度的EUV光刻的找到解决方案,”他说。“我们没有一个完整的答案(如何解决粗糙度的问题)。但通过观察有什么晶片上清晰的眼睛,我们将有一个更好的主意,我们需要做的。制造业将帮助人们做出更好的决策的规格,以及粗糙度和粗糙度对产量的潜在影响。”
MetroLER的初步结果将在下周的技术论文中描述方法相比先进光刻技术研讨会。Fractilia将论文和GlobalFoundries, KLA-Tencor,林研究和东京电子有限公司(电话)。3月份MetroLER将开始测试。
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