光刻和蚀刻过程随机变化如何对组件性能有不利影响。
硅光子学正迅速成为一个有前途的技术,高带宽,低能量,低延迟通信和信息处理和其他应用程序。在硅光子学,现有CMOS生产基础设施和技术杠杆。然而,硅光子学的一个关键挑战是缺乏成熟的模型,考虑到已知的CMOS工艺变化对光子组件行为及其影响。
在本文中,作者研究著名的随机过程的影响变化,线边缘粗糙度(l)、光刻和蚀刻过程中,硅光子学基本组件的性能(Y-branch)通过虚拟制造模拟。系综统计虚拟制造和FDTD模拟光子在一系列l振幅和相关报告的长度。这些结果表明,组件性能可以通过随机变化的不利影响光刻和蚀刻过程,根据统计l扰动的性质。
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莎莉El-Henawy,瑞安·米勒,杜安去骨,”一个随机的影响过程基本光子传输特性的变化集成电路组件,”Proc。相比10743年,光学建模和性能预测X, 107430 o(2018年9月17日);doi:10.1117/12.2321515
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