基于忆阻器的人工神经网络可靠性问题的解决


埃因霍温理工大学、德黑兰大学和南加州大学的研究人员发表了一篇题为“ReMeCo:可靠的基于忆阻器的记忆神经形态计算”的技术论文。摘要:“基于忆阻器的记忆神经形态计算系统承诺高效实现向量矩阵乘法,通常用于人工神经网络(ann)。H……»阅读更多

光子器件的晶圆级变异性&对电路的影响


一篇题为“捕捉硅光子电路中空间过程变化的影响”的技术论文由根特大学- IMEC光子学研究小组的研究人员发表。“我们在这篇论文中提出了一种方法来提取线宽和厚度变化在硅光子晶圆颗粒图。我们提出了一种分层模型来分离布局依赖和l…»阅读更多

在流程节点的前沿削减时钟成本


在麦肯锡(McKinsey)和IDC最近进行的一项研究中,我们看到,随着晶体管尺寸的缩小,物理设计和验证成本正呈指数级增长。如图1所示,每次工艺飞跃,物理设计(PD)和硅前验证成本都会翻倍。随着公司从节点跳到领先节点,自然会产生一个问题。为什么抽气变得越来越难,越来越贵…»阅读更多

巨型5G芯片挑战赛


蜂窝数据的快速上传和下载速度即将到来,但要使这项技术在预期寿命期内按预期运行是一项巨大的挑战,需要在整个芯片生态系统中进行重大改变。虽然sub-6GHz是4G LTE演进的一步,但5G的真正前景在于毫米波技术。但是这些频率更高的…»阅读更多

理解先进半导体节点的线路电阻


当在先进半导体器件中评估收缩金属线宽时,体电阻率并不是推导电阻的唯一材料特性。线尺寸较小时,局部电阻率受晶界效应和表面散射的影响。因此,电阻率在整条线路上都是变化的,电阻提取需要考虑这些次要的现象。»阅读更多

稳健的变化感知智能电源设计为硅的成功


电源管理ic (pics)是半导体行业中快速增长的部分。智能电源应用的需求推动了这一增长,包括可穿戴电子产品、移动计算平台、打印机、硬盘驱动器(HDD)、物联网设备以及各种汽车应用。根据市场研究公司Coherent market Insights的一份报告,全球…»阅读更多

基于虚拟制造的器件性能工艺变化分析


提出了一种新的方法来评估制造固有工艺变异性对14纳米翅片场效应晶体管(FinFET)器件性能的影响。通过虚拟设备的制作和测试,建立了FinFET器件的模型。该模型随后在实验设计角案例数据上进行校准,这些数据是在有限数量的加工晶圆上收集的。W……»阅读更多

处理亚阈值变化


芯片制造商正在推进亚阈值操作,以延长电池寿命并降低能源成本,这给设计团队带来了一系列全新的挑战。虽然工艺和环境变化长期以来一直是先进硅工艺节点的关注点,但大多数设计都在标准的“超阈值”制度下运行。相比之下,子阈值设计具有独特的变化。»阅读更多

平衡高级节点定时退出的性能和准确性的挑战


随着流程节点的缩小,复杂性、成本和总体风险也在增加。随着工作电压的降低,曾经可以接受的过程可变性现在成为一个关键项目。简单地增加设计裕度会使芯片失去竞争力。曾经被忽视的物理效应现在也变得至关重要。互连的影响不能再基于简单的电路拓扑来建模。Layou……»阅读更多

装配需要更好的分析


包装设备传感器、更新的检测技术和分析技术能够提高质量和产量,但所有这些都需要装配厂进行更大的投资。说起来容易做起来难。长期以来,组装业务的利润率一直很低,因为它们的任务被认为很容易管理。然而,过去几年发生了很大变化。r……»阅读更多

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