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标签:虚拟制造

通过工艺窗口建模寻径:使用虚拟制造的高级DRAM电容器模式化工艺窗口评估
通过Coventor- 2022年12月14日-意见:0

在先进的DRAM中，设计紧密封装模式的电容器以增加电池密度。因此，可能需要先进的制版方案，如多重蚀刻、SADP和SAQP工艺。在本文中，我们系统地评估了一个DRAM电容器空穴形成过程，包括SADP和SAQP模式，使用虚拟制造和统计分析在SEMulator3D。聚氨酯……»阅读更多

创建气隙以降低FEOL中的寄生电容
通过Sumant Sarkar- 2022年11月17日-评论:0

减小栅极金属和晶体管源/漏触点之间的寄生电容可以减少器件开关延迟。降低寄生电容的一种方法是降低栅极和源/漏极之间材料层的有效介电常数。这可以通过在该位置的介电材料中创建气隙来实现。这种类型的工作…»阅读更多

深入了解先进的DRAM电容器模式:使用虚拟制造的工艺窗口评估
通过Qingpeng王- 2022年10月20日-评论:0

随着设备的不断扩展，由于较小的特征尺寸和较大的工艺步骤可变性，工艺窗口变得越来越窄[1]。在半导体开发的研发阶段，一个关键的任务是选择一个具有较大工艺窗口的良好集成方案。在晶圆测试数据有限的情况下，评估不同集成方案的制程窗口可以…»阅读更多

通过过程窗口建模寻路
通过Coventor- 2022年10月19日-评论:0

在先进的DRAM中，设计紧密封装模式的电容器以增加电池密度。因此，可能需要先进的制版方案，如多重蚀刻、SADP和SAQP工艺。在本文中，我们使用SEMulator3D®中的虚拟制造和统计分析，系统地评估了包括SADP和SAQP模式在内的DRAM电容器空穴形成过程。…»阅读更多

基于虚拟加工的线边缘粗糙度对金属线电阻影响的研究
通过Coventor- 2022年9月15日-评论:0

BEOL金属线RC延迟已成为限制先进节点芯片运算速度的主要因素。这是因为较小的金属线间距需要更窄的线CD和线对线间距，这引入了更高的金属线电阻和线对线电容。表面散射效应是在较小金属线间距时金属电阻率呈指数级增加的根本原因。»阅读更多

虚拟加工提高良率
通过Coventor- 2022年4月20日-意见:0

本文给出了一个利用虚拟加工技术提高良率的实例。本案例以一个基于7纳米节点技术的6晶体管静态随机存取存储器为例。对过孔接触-金属边缘放置误差引起的屈服损失进行了建模和分析。结果表明，通过优化工艺窗口和改进工艺参数，可使产率由48.4%提高到99.0%。»阅读更多

理解先进半导体节点的线路电阻
通过桑迪温- 2021年12月16日-意见:0

当在先进半导体器件中评估收缩金属线宽时，体电阻率并不是推导电阻的唯一材料特性。线尺寸较小时，局部电阻率受晶界效应和表面散射的影响。因此，电阻率在整条线路上都是变化的，电阻提取需要考虑这些次要的现象。»阅读更多

评估STI隐窝轮廓控制对高级FinFET性能的影响
通过陈宇德- 2021年10月21日-评论:0

廓形变化是半导体器件制造和规模化过程中最重要的问题之一。这些变化会降低芯片成品率和器件性能。虚拟制造技术可以非常有效和经济地研究晶圆轮廓的变化，避免工艺周期时间和晶圆成本。在这篇短文中，我们将回顾性传播疾病的影响。»阅读更多

聚角蚀刻残渣对先进FinFET器件性能的影响
通过Coventor- 2021年7月21日-意见:0

在本文中，我们利用虚拟制造的方法研究了在5nm FinFET多聚蚀刻过程中聚角残留的影响。系统研究了多角形残渣对硬失效模式和器件性能的影响。我们的结果表明，较大的宽度和高度残留物可以导致硬故障，通过在源/漏外延和…»阅读更多

虚拟半导体制程评估导论
通过Jeonghoon (James) Kim- 2021年1月21日-意见:0

过程工程师使用逻辑理论框架结合逻辑工程步骤来开发工程问题的理想解决方案。不幸的是，许多流程工程问题无法通过暴力、一步一步的方法来理解每个因果关系来解决。有太多的过程配方变量，可以修改，使一个蛮力…»阅读更多

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