适当的残渣的大小和变化控制多晶硅腐蚀过程中需要平衡产量和设备性能。
在本文中,我们研究聚角落里残留的影响5 nm FinFET多晶硅腐蚀过程中使用虚拟制造。系统性调查进行努力理解保利角落里残留的影响失效模式和设备性能。我们的研究结果表明,较大的宽度和高度残留物会导致硬故障通过创建一个短的源/漏外延和金属之间的门。令人惊讶的是,一个适当的大小残渣可以提高设备性能大于8%开态电流增加和断开的电流下降50%,相比之下,没有残留保利角落。这种性能的增加主要是由于减少访问源/排水和门之间的电阻在使用状态,和更好的门控制在断开状态。这项研究表明适当的残渣的大小和变化控制多晶硅腐蚀过程中需要平衡产量和设备性能。
作者:Qingpeng Wang * Yu De陈Cheng Li瑞宝,杰克黄和约瑟夫·欧文Coventor Inc .林研究公司,上海,中国
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