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标签:外延

设备供应商为GaN市场爆发做好准备
通过阿黛尔神秘圣地- 2022年8月18日-评论:0

在消费设备和许多应用中对更高能效的需求的推动下，一个巨大的GaN市场正在开放。供应商已经准备好了，但要在高压汽车应用领域与SiC充分竞争，还需要功率GaN(氮化镓)的进一步技术发展。尽管如此，21世纪20年代是GaN市场的高增长阶段。收益在幂GaN标记…»阅读更多

SiC斜坡有多快?
通过阿黛尔神秘圣地- 2022年7月21日-意见:0

全球的设备制造商都在大力发展碳化硅(SiC)制造，从2024年开始，这种增长将真正起飞。近五年前，特斯拉和意法半导体(STMicroelectronics)就在Model 3上推出了碳化硅。现在，没有人怀疑电动汽车的市场吸引力，但消费者仍然要求更好的续航里程和更快的充电速度。碳化硅器件是…»阅读更多

晶体管和芯片的下一步是什么
通过马克LaPedus- 2021年10月21日-意见:5

Imec CMOS技术高级副总裁Sri Samavedam接受了《半导体工程》杂志的采访，讨论了finFET缩放、栅极全能晶体管、互连、封装、芯片和3D soc。以下是那次讨论的节选。SE:半导体技术路线图正朝着几个不同的方向发展。我们有传统的逻辑缩放，但包装…»阅读更多

聚角蚀刻残渣对先进FinFET器件性能的影响
通过Coventor- 2021年7月21日-意见:0

在本文中，我们利用虚拟制造的方法研究了在5nm FinFET多聚蚀刻过程中聚角残留的影响。系统研究了多角形残渣对硬失效模式和器件性能的影响。我们的结果表明，较大的宽度和高度残留物可以导致硬故障，通过在源/漏外延和…»阅读更多

200mm需求激增
通过马克LaPedus- 2020年12月17日-评论

对各种芯片的需求激增，导致200毫米晶圆代工能力和200毫米晶圆厂设备出现短缺，而且这种情况在2021年没有减弱的迹象。至少在2021年上半年，代工厂客户将面临200毫米的产能短缺，甚至可能更久。这些客户需要提前计划，以确保在2021年获得足够的200mm产能。不…»阅读更多

用声控系统改进B-SiGe外延沉积掺杂浓度控制
通过Veeco- 2019年6月19日-评论:0

目前，SiGe-B外延是在PMOS通道中诱导应变、提高空穴迁移率以获得更好器件性能的领先技术。在实践中，我们观察到器件的性能很大程度上取决于掺杂剂的浓度，特别是硼的浓度。结果表明，声控系统能够主动响应瞬时的进气变化。»阅读更多

SiC的检验、计量挑战与日俱增
通过马克LaPedus- 2019年6月11日-评论

检测和计量在碳化硅(SiC)行业中变得越来越重要，因为迫切需要发现当前和未来SiC器件中的问题缺陷。对碳化硅器件来说，发现缺陷一直是一项具有挑战性的任务。但发现致命缺陷并减少它们变得越来越重要，因为SiC器件供应商开始扩大生产，以应对下一波…»阅读更多

microled:显示器的下一次革命?
通过马克LaPedus- 2019年5月29日-意见

随着更多的设备需要更多的屏幕，平板显示技术在多个领域呈现爆炸式增长。但有一种显示器在市场上引起了极大的轰动，那就是微led。数十家公司正在研究微型发光二极管(microled)，这项技术有望提供比目前市场上的解决方案更好、更亮的显示器。苹果,Facebo……»阅读更多

晶圆业务前景喜忧参半
通过马克LaPedus- 2019年2月21日-评论:0

在经历了一段创纪录的增长后，硅晶圆行业在2019年开局缓慢，前景喜忧参半。一般来说，200mm硅片供应仍然紧张。但在某些领域，300mm硅片的需求正在降温，导致供应在一段时间的短缺后趋于平衡。不过，平均而言，尽管经济放缓，硅片价格仍在继续上涨. ...»阅读更多

10/7nm变化
通过埃德·斯珀林- 2018年10月18日-评论

PDF solutions的新产品和解决方案副总裁Klaus Schuegraf解释了为什么在高级节点上变异性是一个越来越大的挑战，为什么中线现在是一个大问题区域，以及由于一个小的工艺变化而导致的过孔不对齐会发生什么。https://youtu.be/jQfggOnxZJQ»阅读更多

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