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通过硅通过有效Post-TSV-DRIE湿清洁过程的应用程序
通过Veeco- 3月18日,2020 -评论:0

深反应离子刻蚀(冲动)流程用于形式通过硅通过(tsv)实现高纵横比的垂直侧壁上形成聚合物层的特性。这种聚合物材料之前,必须删除其他材料(包括绝缘衬套、铜障碍、和铜)存入tsv。清洁过程改编自铜波纹的集成流程结合使用的氧气……»阅读更多

加速碳化硅电力电子设备与机械切割系统大量生产
通过Veeco12月- 16,2019 -评论:0

碳化硅(SiC)是一种宽带隙半导体材料,具有巨大的潜力,丰富我们的生活,使更好的技术与连通性和效率提高。它提供了许多优点在电力应用常见的硅(Si),因为它可以掺杂远高于硅达到最佳闭锁电压。此外,原文如此高的热导率特性enab……»阅读更多

过程产生高纵横比电镀铜柱在300 mm晶圆
通过Veeco10月- 16,2019 -评论:0

这项工作提供了一个完整的细节和部分优化过程制造高纵横比铜柱子的高度高达80µm 200和300毫米晶圆。在所有材料晶片均匀性数据和流程步骤。结果将显示优秀的抵制粘附在电镀铜和耐久性。横截面扫描电镜分析抵制和电镀公益诉讼…»阅读更多

外部阻力减少的纳秒激光退火硅/锗硅CMOS技术
通过Veeco- 9月18日,2019 -评论:0

作者:1奥列格•Gluschenkov 1恒,凯文•酿造1 2渝妞妞、1蓝宇,1亚希尔Sulehria 1塞缪尔·崔22柯蒂斯其中,james Demarest 1 1 adra卡尔,3陈少阴,吉姆·威利斯3 3 thirumal Thanigaivelan, 1 fee-li撒谎,沃尔特·Kleemeier 2和1有着郭1 ibm Research,富勒路257号,奥尔巴尼,纽约12203年美国电子邮件:(电子邮件保护)2 globalfoundries Inc .,奥尔巴尼,纽约,美国,3欧泰克,一个部门…»阅读更多

Intra-Field压力影响全球晶圆变形
通过Veeco8月- 14,2019 -评论:0

的贡献者之一层覆盖在今天的芯片制造晶片失真是由于薄膜沉积过程。电影特定材料参数不匹配(例如,热膨胀系数)可能导致process-induced翘曲在室温下的晶圆。当这些扭曲的晶圆装载到下一层接触的扫描仪,平面disto……»阅读更多

提高掺杂剂浓度控制与声学B-SiGe外延沉积的控制系统
通过Veeco——6月19日,2019 -评论:0

目前,SiGe-B外延是pmo的领先技术诱导应变通道,提高空穴迁移率达到更好的设备性能。在实践中,我们观察到设备性能强烈依赖于掺杂剂浓度,特别是硼浓度。结果表明,声学控制系统(ACS)能够积极应对瞬时变化incomi……»阅读更多

1微米颗粒状花纹的再分配对扇出晶圆级别使用光敏介质材料包装
通过Veeco——5月22日,2019 -评论:0

作者:沃伦·w·弗莱克,罗伯特•谢Ha-Ai Nguyen欧泰克Veeco Zanker路3050号的一个部门,美国加利福尼亚州圣何塞95134(电子邮件保护)塞缪尔·约翰·Slabbekoorn Suhard,安迪·米勒IMEC Kapeldreef 75 b - 3001鲁汶,比利时(电子邮件保护)Akito宏,罗曼Ridremont JSR微NV Technologielaan 8 b - 3001鲁汶,比利时(电子邮件保护)摘要……»阅读更多

光刻技术挑战前沿3 d包装应用
通过Veeco——4月18日,2019 -评论:0

领先的消费电子产品需求驱动增强性能和小形式因素。这反过来驱动制造半导体器件制造的各个方面的要求。随着前端设备制造成本的持续快速升级与每个节点的新技术,半导体制造企业也集中在包装技术……»阅读更多

使用Apodized厚度调制低纹波陷波滤波器的设计
通过Veeco- 3月21日,2019 -评论:0

切口过滤器的apodized离散层厚度设计方法。低纹波的方法产生错误宽容设计通带区域没有任何额外的数值优化。样本设计。多种方法已经使用在过去生产缺口过滤器(也称为-过滤器)。两种主要的方法可以分为俄文……»阅读更多

氟化物薄膜的离子束溅射沉积
通过Veeco2019年2月- 12(-评论:0

爱子的颂歌,Veeco仪器深紫外波长的薄膜涂层主要由蒸发方法(热和Ebeam)。性能的限制因素消失了电影包括表面粗糙度,孔隙度、吸收和缺陷密度。提高电影,他们通常沉积在衬底温度过高(超过300°c)产生的热应力u…»阅读更多

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