一种优化的工艺，在200和300毫米晶圆上制造高至80微米的高纵横比铜柱。
这项工作提供了在200和300毫米晶圆上制造高至80微米的高纵横比铜柱的完整和部分优化工艺的细节。给出了所有材料和工艺步骤的晶圆均匀性数据。结果表明，具有良好的抗铜附着力和电镀耐久性。采用截面扫描电镜分析电阻和电镀柱，确定工艺纬度。光刻使用了一种高性能负极光刻胶，专为焊料碰撞、铜柱和MEMS应用开发，目标是高薄膜厚度、宽高比> 4和使用单一涂层工艺的大工艺窗口的短加工时间。通过抗铜柱沉积，采用专为高速率设计的工艺，铜的电沉积速率高达7.5 μ m/min。
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作者:C. Chen[1]， W. Flack[2]， A. Nguyen[2]， T. Ritzdorf[3]， D. Ericksen[3]， S. Lee[1]， B. Plass[1]和G. Pawlowski[1]
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