高级节点可以受益于纳秒激光退火的S / D结构,产生一个重大pFET外部阻力减少和相应的罗恩减少。
作者:1奥列格•Gluschenkov1恒,1凯文•酿造2渝牛、1局域网,1亚希尔Sulehria,1塞缪尔·崔22柯蒂斯其中,1詹姆斯•Demarest1Adra卡尔3陈少阴,3吉姆•威利斯3Thirumal Thanigaivelan,1Fee-li撒谎,2沃尔特Kleemeier,1有着郭
1IBM的研究,257年富勒路,奥尔巴尼,纽约12203年,美国电子邮件:(电子邮件保护)
2GLOBALFOUNDRIES Inc .,奥尔巴尼,纽约,美国
3欧泰克VEECO仪器公司的一个部门,圣何塞美国CA
我们报告pFET外部阻力明显降低(~ 40%)和相应的10%罗恩减少纳秒激光退火的S / D结构适用于先进技术节点。选择性融化pFET S / D元素负责这个改进。过程窗口边界是由通道和结融化的上端和S / D锗硅在低端融化。短渠道特征识别过程窗口内不退化。联系门距(CPP)和翅片数量依赖评估过程的窗口。
点击在这里阅读更多。
|
|
|
|
|
|
|
|
留下一个回复