技术论文题为“提高容错RISC-V soc的错误认识和可靠性”由蒙彼利埃大学和大学的研究人员发表的淡水河谷伊塔雅伊。
“最近的研究表明兴趣采用RISC-V处理器高可靠性的电子产品,如航空航天应用。此体系结构的开放性使处理器的实现和定制特性来提高可靠性。研究硬RISC-V处理器面临严酷的辐射环境应用容错技术的处理器核心和外围设备,利用系统冗余。在之前的工作中,我们提出一个硬RISC-V SoC (SoC),它可以检测并纠正辐射引发的故障与有限的错误认识。因此,在这项工作中,我们提出解决方案扩展故障可观测性的SoC实现通过提供错误检测和监控。为此,我们引入观测特征冗余系统的结构,使报告的有价值的信息,支持增强辐射测试和支持应用程序执行操作从关键故障中恢复。因此,这项工作的主要贡献是解决提高故障感知和分析系统中故障模型。为了验证这个解决方案,我们进行补充实验2辐照设施、大气中子和mixed-field环境,理解系统被证明是有价值的分析处理器核心上的辐射效应及其外围设备。在这些实验中,我们可以获得一系列的错误报告,让我们获得更深入的理解故障机制,以及提高SoC的特征。”
找到技术论文。发表:2023年6月。
桑托斯,道格拉斯。道格拉斯·r·梅洛,安德烈·m·p·马托斯和路易吉主导师》2023。“增强的错意识和可靠性的容错RISC-V soc”电子12号12:2557。https://doi.org/10.3390/electronics12122557。
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