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提高掺杂剂浓度控制与声学B-SiGe外延沉积的控制系统

如何提高沉积为大规模生产工具的可用性。

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目前,SiGe-B外延是pmo的领先技术诱导应变通道,提高空穴迁移率达到更好的设备性能。在实践中,我们观察到设备性能强烈依赖于掺杂剂浓度,特别是硼浓度。结果表明,声学控制系统(ACS)能够积极应对瞬时变化的气体,实现更好的掺杂剂控制。在本文中,我们报告减少硼浓度变化使用ACS SiGe-B外延技术。

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