使用一个apodized离散层厚度设计方法切口过滤器使错误宽容设计。
深反应离子刻蚀(冲动)流程用于形式通过硅通过(tsv)实现高纵横比的垂直侧壁上形成聚合物层的特性。这种聚合物材料之前,必须删除其他材料(包括绝缘衬套、铜障碍、和铜)存入tsv。清洁过程改编自铜波纹的集成流程结合使用氧气的火山灰和湿清洁消除残余光刻胶和侧壁聚合物的内表面TSV准备随后的电影。在这项工作中,我们显示专门清洗过程利用湿的性能的方法。除去光刻胶和侧壁聚合物是通过浸泡和高压喷雾使用环境友好的化学过程。这降低了流程步骤的数量,从而降低总成本。以前的工作表明,物理分析、SEM、EDX,钻,以及电气测试,需要确定清洁。本研究侧重于电气测试资格的性能wet-only干净。电气测试允许测量的总体行为的成千上万的tsv。在线测试(ILT)使用电容,泄漏,电导确定M1和TSV介质衬垫的性能。 Dielectric breakdown voltage measured using a Voltage Ramp Dielectric Breakdown (VRDB) method is used to test the reliability of the TSV dielectric liner. In this work, the cleaning performance was evaluated using two via diameters (2 and 5 microns) and two aspect ratios (10:1 and 20:1).
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