回顾的制造和可靠性三维集成微电子封装技术:Through-Si-via和焊锡碰撞过程


文摘”的不断小型化电子设备和即将到来的新技术,如人工智能(AI)、物联网(物联网),第五代蜂窝网络(5克),等等,电子工业是实现高速、高性能、高密度电子封装。三维(3 d) Si-chip叠加使用through-Si-via (TSV)和sol……»阅读更多

通过硅通过有效Post-TSV-DRIE湿清洁过程的应用程序


深反应离子刻蚀(冲动)流程用于形式通过硅通过(tsv)实现高纵横比的垂直侧壁上形成聚合物层的特性。这种聚合物材料之前,必须删除其他材料(包括绝缘衬套、铜障碍、和铜)存入tsv。清洁过程改编自铜波纹的集成流程结合使用的氧气……»阅读更多

新技术来分析和减少腐蚀变化


时分多路复用(TDM)等离子体蚀刻过程(通常称为深反应离子刻蚀(“冲动”))使用交替沉积和蚀刻步骤周期性生产高纵横比的结构在硅衬底上。这些腐蚀过程已经被广泛应用于硅MEMS制造设备,以及最近在创建通过硅3 d通过硅结构……»阅读更多

MEMS的麻烦


物联网的出现将开放的一系列新的机遇MEMS-based传感器,但芯片制造商进行谨慎。有很多原因限制。微机电系统是很难设计、制造和测试,在MEMS系统最初引发的乐观,这个市场将命令同样的保费analo……»阅读更多

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