看看腐蚀流程建模的好处对MEMS和在矽通过。
时分多路复用(TDM)等离子体蚀刻过程(通常称为深反应离子刻蚀(“冲动”))使用交替沉积和蚀刻步骤周期性生产高纵横比的结构在硅衬底上。这些腐蚀过程已经被广泛应用于硅MEMS制造设备,以及最近在创建通过硅3 d通过硅结构芯片芯片互联。腐蚀速度的精确控制是极其重要的在满足设计使用TDM等离子蚀刻硅生产设备的特点。
虚拟制造是一种计算机技术进行预测,半导体制造过程的三维建模。虚拟制造允许工程师测试半导体过程变化和过程的可变性在几分钟或几小时,而不是几周或几个月需要使用实际的半导体晶圆测试他们的设计。SEMulator3D是虚拟制造解决方案,可以在复杂的模式下模型过程的可变性计划和流程。
在这项研究中,SEMulator3D硅设备的腐蚀速率模型使用TDM(或驱动)蚀刻过程。预测结果与实际公布的数据相比,确定虚拟制造可以用来减少长宽比腐蚀剂的变化。
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谢谢你的文章。这种技术可以应用到一个独立的等离子体腐蚀装置用于RIE MEMs加工。我目前使用等离子体蚀刻机,马克2我们用它做RIE。驱动RIE相似吗?
谢谢你的帮助。
约翰R