本文主要从TSV填充和焊料碰撞两个方面对TSV填充和焊料碰撞的可靠性进行了探讨。
摘要
“随着电子设备的不断小型化和即将到来的新技术，如人工智能(AI)、物联网(IoT)、第五代蜂窝网络(5G)等，电子行业正在实现高速、高性能和高密度的电子封装。通过- si -via (TSV)技术进行三维硅晶片堆积和焊料碰撞工艺是满足上述要求的关键互连技术，目前受到电子行业的高度关注。本文主要从TSV填充和焊料碰撞两个方面对TSV填充和焊料碰撞的可靠性进行了探讨。TSV填充解决了DRIE(深度反应离子蚀刻)工艺，包括在TSV壁面涂覆绝缘层、粘附层、种子层等功能层，以及用熔融焊料填充TSV。讨论了铜柱上的焊料碰撞工艺，如电镀、焊料球碰撞、膏体印刷和焊料注入。在TSV和焊料碰撞的可靠性部分，综述了制造缺陷、内应力、金属间化合物和剪切强度。这些研究旨在为未来的高密度电子封装有效地实现强大的3D集成技术。”
找到这里是技术文件．公布的10/2021。
曹,d.h;搜索引擎优化,克里;金,J.B.;Rajendran,萨达姆政权;微电子封装三维集成技术的制造和可靠性综述:通过- si -via和焊料碰撞工艺。金属2021,11,1664。https://doi.org/10.3390/met11101664
留下回复