当前切片的方法对碳化硅(SiC)基质是禁止大量生产。
碳化硅(SiC)是一种宽带隙半导体材料,具有巨大的潜力,丰富我们的生活,使更好的技术与连通性和效率提高。它提供了许多优点在电力应用常见的硅(Si),因为它可以掺杂远高于硅达到最佳闭锁电压。另外,原文如此高的热导率特性使电力设备运行在更高的温度和速度频率环境。今天许多类型的设备正在开发使用这些材料,很快世界领先的电子制造商将大规模生产碳化硅产品对许多高功率应用程序。到目前为止,没有成熟的切割技术,可以处理这种材料大批量制造。
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