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白皮书

创新的双重标志设计先进光刻对准验证和过程监控

一项研究着眼于发现intra-wafer失真wafer-by-wafer的可行性。

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改善产品覆盖是一个关键的挑战时收缩技术在半导体制造节点。智能位置调节标记对X和Y方向,可以确定intra-wafer wafer-by-wafer扭曲。测量和建模应用结果直接作为前馈校正,使晶圆级控制。本文的能力是评估可行性研究。

作者:
联华电子股份有限公司(台湾)——贾挂Chang川利奥,Junjin林,唐Chun翁,林和比尔。
从Qoniac GmbH(德国)帕特里克•Lomtscher马丁Freitag, Stefan镶嵌细工。
从Qoniac台湾有限公司(台湾)——小林村徐和雷克斯·h·刘。

从学报文摘。点击在这里阅读完整的抽象和访问文章(需要收费)。



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