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创新的双重标志设计先进光刻对准验证和过程监控
通过联华电子- 7月21日,2021 -评论:0

改善产品覆盖是一个关键的挑战时收缩技术在半导体制造节点。智能位置调节标记对X和Y方向,可以确定intra-wafer wafer-by-wafer扭曲。测量和建模应用结果直接作为前馈校正,使晶圆级控制。在这个p…»阅读更多

替换门High-k /金属门nMOSFETs使用自对准Halo-Compensated通道植入
通过联华电子- 6月16日,2021 -评论:0

设备设计技术提高输出电阻(崩溃)的特点长水道halo-doped nMOSFETs替换门(RMG) high-k /金属门(香港/毫克)设备提出了基于数值模拟。我们表明,自对准halo-compensated通道植入(HCCI)后进行虚拟多晶硅栅除提供传统光环掺杂补偿……»阅读更多

高电压应用。
通过联华电子8月- 14,2019 -评论:0

今天的高分辨率显示器和高数据传输速度已经推动快速发展嵌入式高压(超高压)IC市场。联电支持这些应用程序广泛证实超高压技术,同时继续投资于研究和发展提供更多更好的解决方案,以满足当前和未来的需求不断扩大的超高压市场。点击…»阅读更多

实现热点检测精度高的得分模式
通过联华电子12月- 14,2018 -评论:0

在这篇文章中,我们结合热点模式库和基于规则的评分系统为模块化hotspot-checking规则甲板运行在一个自动的流程。几个DFM(设计制造)属性定义的标准将会建立一个“分数板”热点的候选人。当输入设计突出显示、热点评分系统可以识别热点是否…»阅读更多

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