新技术论文题为“非传统的设计动态逻辑使用FDSOI进行高效计算”斯图加特大学的研究人员公布的是加州大学伯克利分校,印度理工学院的坎普尔和TU慕尼黑,德国研究基金会的资助。
文摘
”在这篇文章中,我们提出一个非传统的设计动态逻辑电路使用消耗殆尽绝缘体上硅(FDSOI)场效应晶体管。FDSOI场效应晶体管允许阈值电压(Vt)可调(即。low-Vt和high-Vt州)通过后门的偏见。我们的设计利用的正面和背面盖茨FDSOI场效应晶体管作为输入终端,提出了动态逻辑门(像;与非,也没有,或者,XOR和XNOR)和电路(如;一半加法器和全加器)。它需要更少的晶体管构建动态逻辑门和实现高性能与低功耗相比传统动态逻辑设计。密集的工业模型FDSOI场效应晶体管(BSIM-IMG)已经被用来模拟动态逻辑门和完全校准繁殖14 nm FDSOI场效应晶体管技术节点数据。执行校准电特性和过程变化。仿真结果表明平均提高晶体管计数,传播延迟,权力,和power-delay产品为23.43%,57.16%,47.05%,和77.29%,分别比常规设计。进一步,我们的设计降低了电荷共享效应,影响驾驶性能的动态逻辑门。 In addition, we have analyzed the impact of the process, supply voltage, and load capacitance variations on the propagation delay of the dynamic logic family in detail. The results show that these variations have a minor impact on the propagation delay of the proposed FDSOI-based dynamic logic gates compared to the conventional dynamic logic gates.”
找到这里的技术论文。2023年4月出版。
库马尔,s . Chatterjee c . k . Dabhi y Chauhan和h . Amrouch“非传统的设计动态逻辑使用FDSOI进行高效计算,“在IEEE杂志探索固态计算设备和电路,doi: 10.1109 / JXCDC.2023.3269141。开放访问年代。
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