标签:FDSOI

非传统的动态逻辑门的设计和电路FDSOI场效应晶体管
通过技术论文链接——5月19日,2023 -评论:0

新技术论文题为“非传统的设计动态逻辑使用FDSOI进行高效计算”斯图加特大学的研究人员公布的是加州大学伯克利分校,印度理工学院的坎普尔和TU慕尼黑,德国研究基金会的资助。抽象”在这篇文章中,我们提出一个非传统的设计动态逻辑电路使用Fully-Deplet……»阅读更多

改善电气性能和p型TFET低频噪声的特性
通过技术论文链接- 08年11月,2022 -评论:0

新技术论文题为“高压D2和H2退火对LFN属性FD-SOI pTFET“忠南国立大学和韩国研究人员发表的理工大学。“这项研究调查的影响高压氘(D2)退火和氢气(H2)退火的电气性能和低频噪声(LFN)完全耗尽silic……»阅读更多

IEEE 2019 -表征s3 FDSOI技术挑战和解决方案
通过PDF的解决方案- 08年6月,2020 -评论:0

FDSOI技术提出了替代设备扩展路径提供可调的好处,优越的静电学平面集成的晶体管,同时保持简单。新的设备类型和集成元素长大的挑战在设备和流程描述和监控在整个生命周期的技术。介绍了成功应用…»阅读更多

所有你需要知道的关于FDSOI技术
通过Coventor3月- 20,2019 -评论:0

在过去的几十年中,晶体管特征尺寸不断下降,导致性能和降低功耗的增加。消费者受益,高级电子设备变得越来越有用,有价值,更快、更高效。近年来,随着晶体管特征尺寸减少低于10 nm,它已成为越来越di……»阅读更多

FD-SOI:身体偏见如何创建独特的差异化
通过GlobalFoundries- 2月21日,2019 -评论:0

完全耗尽的绝缘体(FD-SOI)依赖于一个非常独特的基质层的厚度控制在原子尺度。FD-SOI提供非凡的晶体管性能的能力,性能,面积和成本权衡(PPAC),从而能够涵盖从低功耗高性能数字应用程序与一个单一的技术平台。FD-SOI提供众多联合国…»阅读更多

超低功耗SAR ADC使用Body-Biasing 22纳米FD-SOI技术
通过弗劳恩霍夫东亚峰会2018年12月- 12 -评论:0

今天的传感器应用程序显示一个小型自治传感器节点上不断增长的需求与极端的功耗需求。这些传感器节点的一个核心功能是模拟传感器信号转换成数字数据处理和数据通信。在这个工作数逐次逼近寄存器(SAR) ADC与最小功耗是发展…»阅读更多

5铸造雷达下的问题
通过马克LaPedus- 4月16日,2015 -评论:0

铸造业务,尖端段抓住大部分,如果不是全部,头条新闻。当然,铸造供应商增加16 nm / 14 nm finFET流程,研发10 nm和7海里。领先的铸造业务是相当大的,但它不是唯一的竞争舞台。事实上,有战斗发生在许多其他铸造领域,如2.5 d / 3 d packag……»阅读更多

制造业:3月17日
通过马克LaPedus——3月17日,2015 -评论:0

EUV光源公司寻求帮助在2012年,一家名为Zplasma出来的隐形模式,推出了其第一技术新一代电源极端紫外线光刻技术(EUV)。但在喝彩声中,希望之后,Zplasma一直无法商业化其EUV光源技术。该公司还无法吸引发展伙伴或外部资金。和t…»阅读更多

时间再来看看SOI
通过马克LaPedus10月- 16,2014 -评论:0

芯片制造商能够奢侈的看着几个过程选项在开发芯片的28 nm节点和超越。例如,使用散装CMOS芯片制造商可以扩展平面晶体管20海里。在20 nm,平面耗尽天然气由于所谓的短沟道效应。在这一点上,IC制造商必须迁移对finFETs 16 nm / 14 nm。另一个进程选项是完全…»阅读更多

制造业:10月14日
通过马克LaPedus10月- 14,2014 -评论:0

丰田汽车动力转向IC今天的汽车是利用更多的电子产品。电子内容的增加驾驶需要高温和高压芯片。电动助力转向(EPS)系统就是一个例子。每股收益提供力量帮助即使发动机停止。它也提高了燃油经济性相比,液压动力转向,根据汽车巨头…»阅读更多

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