FD-SOI是唯一的CMOS技术提供的可能性完全控制晶体管的阈值电压通过身体动态偏差。
完全耗尽的绝缘体(FD-SOI)依赖于一个非常独特的基质层的厚度控制在原子尺度。FD-SOI提供非凡的晶体管性能的能力,性能,面积和成本权衡(PPAC),从而能够涵盖从低功耗高性能数字应用程序与一个单一的技术平台。FD-SOI带来许多独特优势包括近门槛供应能力,超低辐射敏感性和非常高的内在晶体管速度,使它也许RF-CMOS最快的技术在市场上。上面的这些优势FD-SOI是唯一CMOS技术提供的可能性完全控制晶体管的阈值电压通过身体动态偏差。
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