作者的最新文章

130 BCDLite和BCD
通过GlobalFoundries3月- 20,2019 -评论:0

BCDLite和BCD工艺技术提供了一个模块化平台架构基于Globalfoundries的低功耗逻辑过程集成的低收入和高压双极晶体管、高压EDMOS / LDMOS晶体管、精密模拟被动者和非易失性内存。•新代释放与显著的性能改进•BCDLite是专为具有成本效益的美孚……»阅读更多

FD-SOI:身体偏见如何创建独特的差异化
通过GlobalFoundries- 2月21日,2019 -评论:0

完全耗尽的绝缘体(FD-SOI)依赖于一个非常独特的基质层的厚度控制在原子尺度。FD-SOI提供非凡的晶体管性能的能力,性能,面积和成本权衡(PPAC),从而能够涵盖从低功耗高性能数字应用程序与一个单一的技术平台。FD-SOI提供众多联合国…»阅读更多

模拟和测量之间的匹配设计作为可靠的覆盖目标的关键驱动因素
通过GlobalFoundries11月- 15,2018 -评论:0

由s . Lozenko b·舒尔茨l . Fuerst c . Hartig m·鲁姆GlobalFoundries和t . Shapoval g . Ben-Dov z Lindenfeld, r . Haupt, r . Wang KLA-Tencor抽象的数值模拟覆盖计量目标已成为先进技术节点的实际标准。虽然适当的仿真软件是广泛使用在工业与指标,允许选取……»阅读更多

180海里HVIC技术数字交流/直流电源转换
通过GlobalFoundries11月- 14,2018 -评论:0

本文提出了一种新的高压集成电路(HVIC)技术,优化了AC / DC电源转换应用程序增加了数字内容。成本效益过程使用3.3 v CMOS和180海里后端流程提供约10 x密度更大的数字电路与传统相比0.5μm 5 v互补金属氧化物半导体解决方案,同时保持良好的模拟电路性能。…»阅读更多

CMOS-Embedded STT-MRAM数组2 xnm GP-MCU应用程序节点
通过GlobalFoundries- 20,2018 -评论:0

垂直自旋扭矩(STT) MRAM是一种很有前途的技术而言,读/写速度、低功耗和non-volatility,但没有一个示范的高密度可制造性小的几何图形。在本文中,我们提供了一个前所未有的展示一个健壮的STT-MRAM技术设计2 x纳米CMOS -嵌入式40 Mb数组。关键特性充满…»阅读更多

CMOS-Embedded STT-MRAM数组2 xnm GP-MCU应用程序节点
通过GlobalFoundries3月- 15,2018 -评论:0

垂直自旋扭矩(STT) MRAM是一种很有前途的技术而言,读/写速度、低功耗和non-volatility,但没有一个示范的高密度可制造性小的几何图形。在本文中,我们提供了一个前所未有的展示一个健壮的STT-MRAM技术设计2 x纳米CMOS -嵌入式40 Mb数组。关键特性充满…»阅读更多

CMOS-Embedded STT-MRAM数组2 x为GP-MCU nm节点应用程序中
通过GlobalFoundries7月- 20,2017 -评论:0

垂直自旋扭矩(STT) MRAM是一种很有前途的技术而言,读/写速度、低功耗和non-volatility,但没有一个示范的高密度可制造性小的几何图形。在本文中,我们提供了一个前所未有的展示一个健壮的STT-MRAM技术设计2 x纳米CMOS -嵌入式40 Mb数组。关键特性充满…»阅读更多

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