看看数组性能和关键参数来满足标准CMOS BEOL需求。
垂直自旋扭矩(STT) MRAM是一种很有前途的技术而言,读/写速度、低功耗和non-volatility,但没有一个示范的高密度可制造性小的几何图形。在本文中,我们提供了一个前所未有的展示一个健壮的STT-MRAM技术设计2 x纳米CMOS -嵌入式40 Mb数组。主要特点是完整的阵列功能较低误码率(比特误码率),过程均匀性和可靠性,10年数据保留在125 c扩展耐力~ 107周期。所有标准BEOL过程温度。数据保留职位260°C焊料回流温度循环。
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