标签:自旋扭矩MRAM

对soc测试嵌入式MRAM IP
通过Synopsys对此2020年3月- 11 -评论:0

嵌入式记忆测试和维修的挑战是众所周知的,以防止测试包括最大限度地提高故障覆盖率逃脱并使用备用元素制造业产量最大化。激增的有前途的非易失性内存架构的可用性增强,有可能取代传统挥发性记忆,一套新的SoC水平记忆测试和修复挑战新兴……»阅读更多

驯服小说NVM非确定性
通过布来安梅奥2020年3月- 10 -评论:1

新的内存技术可能不确定的特点,添加校准测试负担,一生中可能需要调整。这些记忆是发展的结果搜索记忆存储类(SCM)技术,桥梁之间的差距大,记忆像flash和更快的DRAM内存慢。有几个出路……»阅读更多

嵌入式相变内存中
通过马克LaPedus——2019年1月24日——评论:3

下一代嵌入式应用程序内存市场正变得越来越拥挤的另一个技术出现arena-embedded相变内存。相变内存并不新鲜,几十年来一直在进行。但这项技术已经不再商业化在技术和成本的挑战。相变内存,一个存储数据的非易失存储器类型……»阅读更多

CMOS-Embedded STT-MRAM数组2 x为GP-MCU nm节点应用程序中
通过GlobalFoundries7月- 20,2017 -评论:0

垂直自旋扭矩(STT) MRAM是一种很有前途的技术而言,读/写速度、低功耗和non-volatility,但没有一个示范的高密度可制造性小的几何图形。在本文中,我们提供了一个前所未有的展示一个健壮的STT-MRAM技术设计2 x纳米CMOS -嵌入式40 Mb数组。关键特性充满…»阅读更多

新的嵌入式记忆之前
通过马克LaPedus1月25日,2017 -评论:0

嵌入式内存市场开始升温,推动了新一波的微控制器(mcu)和相关的芯片可能会需要新的、更有能力的非易失性内存类型。这个行业正在从几个不同的方面在嵌入式内存景观。在一个方面,传统的解决方案推进。在另一个方面,一些供应商定位next-generatio……»阅读更多

黑硅
通过凯瑟琳德比郡1月29日,2015 -评论:0

在过去的几十年里,集成电路制造商已经将他们的精力(getkc id = " 74 "评论=“摩尔定律”),在固定成本增加晶体管密度。那个时候,Dennard定律也举行了:作为一个设备的尺寸下降,功耗。更小的晶体管跑得更快,使用更少的力量,并且成本较低。正如大多数读者已经知道,豪…»阅读更多

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