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周回顾:设计,低功耗


芯片设计Fraunhofer IIS/EAS在三星的5nm技术上实现了来自开放计算项目(OCP)的束线(BoW)标准接口IP。这项工作的目的是使芯片在中小型生产的产品中更加可行,并确定未来需要额外的统一标准,例如模对模连接。“作为……»阅读更多

cmos嵌入式STT-MRAM阵列在2x nm节点用于GP-MCU应用


垂直自旋传递扭矩(STT) MRAM在读写速度、低功耗和非易失性方面是一项很有前途的技术,但目前还没有在小几何形状上实现高密度制造的证明。在本文中,我们展示了一个前所未有的强大的STT-MRAM技术,该技术设计在一个2x nm CMOS嵌入式40 Mb阵列中。主要功能是充分的…»阅读更多

巨大的内存转移即将到来


系统架构由[getkc id="22" kc_name="memory"]的性能驱动。处理器设计者希望所有的内存都是快速的[getkc id="92" kc_name="SRAM"],放在芯片上以获得最大的性能,但这不是一个选项。存储器必须被制造成单独的芯片,并通过印刷电路板(PCB)连接。这限制了可用I/O端口的数量……»阅读更多

宇宙记忆落回地球


十年前,英特尔公司宣布闪存将在65nm停止缩放,这促使人们需要一种新的替代技术。许多企业认为闪存时代即将结束,开始开发3D芯片、FeRAM、MRAM、相变存储器(PCM)、ReRAM等新一代存储器。其中许多技术最初被宣传为“uni…»阅读更多

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