EUV光源公司寻求帮助;技术服务;3 d项目晶片。
EUV光源公司寻求帮助
2012年,一家名为Zplasma出来的隐形模式,推出了其第一技术新一代电源极端紫外线光刻技术(EUV)。
但在喝彩声中,希望之后,Zplasma一直无法商业化其EUV光源技术。该公司还无法吸引发展伙伴或外部资金。
和启动的选项。“公司现在的状态正是三年前公司的地位:实验室原型证明突破是真实的,独家专利的许可,也没有资本,可以建造任何东西,”亨利·伯格说,首席执行官Zplasma,在一个电子邮件。
“有交谈与任何兴趣EUV世界上每个人,我们得出结论,没有人接近谁会考虑资金新EUV光源技术,”伯格说。“我们很乐意春天采取行动如果这个改变。我们得到的反应是:“这看起来不可思议。希望我们之前见过这个,但现在已经太晚了。’”
不过,Zplasma还有一线希望。EUV迟到在持续的电源的问题。今天,ASML控股的EUV电源能产生90瓦的电力。但在大规模生产,将EUV行业希望至少250瓦的电力。
ASML和Gigaphoton分别开发EUV电源,将来可能达到250瓦,虽然并没有保证公司将实现这一目标。还有其他的努力,其中大多数仍处于早期研发阶段。例如,研究人员SLAC国家加速器实验室正在探索发展大功率的EUV基于存储环技术来源。这种技术需要支持集成电路产业在商业上可行。
不过,该行业正在看看线性的技术。也许该行业应该再看看Zplasma,于2011年成立生产EUV光源技术开发华盛顿大学(UW)。大学获得联邦资助的项目,始于1998年。
Zplasma是开发一种EUV源代码基于放电产生等离子体(DPP)技术。相比之下,ASML和Gigaphoton正在开发EUV来源基于激光产生等离子体(垂直距离)技术。
伯格表示,民进党是更可靠,耐用比垂直距离和负担得起的。“所有的EUV生成和加热等离子体产生的光。其他民进党EUV来源使用高压放电电离氙或锡烷气体和产生一个不稳定的ζ捏(Z-pinch),发出短暂脉冲苍蝇之前EUV光源不稳定的等离子体分开,”他说。“威斯康辛大学的研究人员发现,剪切流引入Z-pinch等离子体稳定,生产长脉冲的EUV光源轻轻没有高能的爆炸碎片产生的其他来源。”
Zplasma已经建造了一个概念验证原型证明其所谓的剪切流稳定(SFS)技术是商业上可行的EUV来源。“我们的第一种方法是寻找风险资本支持的发展颠覆性来源。我们开始发现,风险资本已经完全放弃了半导体行业。没有建立风险投资公司愿意考虑任何有关半导体资本设备,”他说。
Zplasma也拒绝了各种芯片制造商和供应商的工具。今天,启动继续存在。其技术仍然是可行的,如果该行业愿意冒险和赌博。“有趣的是,2012年我们开始这段对话时,最常见的反应是:“你太迟了,因为我们会与垂直距离今年晚些时候启动并运行。“现在,我们三年后HVM和EUV是远不像以往那样)。源很久以前我们就会发货,但是我们仍然没能开始工作,”他补充道。
技术服务
CEA-Leti法国研发组织发起了一个技术平台使芯片制造商和原始设备制造商降低产品周期时间。
硅脉冲集成电路设计能力中心客户从CEA-Leti提供了一些技术,集成电路设计等知识产权(IP),仿真,测试服务,和多项目晶片航天飞机。
该平台包括原型和预生产运行。硅冲动为合作伙伴提供以下技术研发organization-analog,射频,数字和内存设计和硬件/软件集成。ReRAM,它还包括FD-SOI MEMS,单片3 d和硅光子学。
“无处不在的无线网络和开创性的低功耗技术是物联网的广泛应用的关键,因为他们提高便携设备的性能和网络基础设施,“说Leti CEO Marie-Noelle Semeria,在一份声明中说。“硅冲动的一站式平台,28 nm FD-SOI异构、低功耗为物联网社区设计成为现实。硅冲动帮助Leti的合作伙伴推出创新产品,为这些应用提供最佳性能,并受益于最先进的技术。”
3 d项目晶片
的Nanoelec研究技术研究所(红外热成像)和CMP正在启动一个平台multi-project-wafers用于3 d芯片集成应用程序。
这些技术包括through-silicon-vias (tsv)小节距垂直互联和under-bump冶金。技术将使3 d结构,如多模叠加倒装芯片,并排异构集成和3 d分区。
CMP Multi-project-wafer专家负责支持、检查和整理客户的请求。红外热成像,CEA-Leti为首,将管理三维后处理。
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