一个新的技术论文题为“高压D的效果2和H2退火对LFN属性FD-SOI pTFET“忠南国立大学和韩国研究人员发表的理工大学。
“这项研究调查的影响高压氘(D2)退火和氢(H2)退火电气性能和低频噪声(LFN)完全绝缘体p型TFET耗尽。没有高压退火,典型的噪声功率谱密度表现出两个受到的洛伦兹光谱快速和慢速的陷阱。用高压退火、界面陷阱密度与速度陷阱网站减少,”国家。
找到这里的技术论文。2022年11月出版。开放获取。
Shin HJ。、Eadi S.B.、一个YJ。et al。高压D的影响2和H2退火对LFN属性FD-SOI pTFET。Sci代表1218516 (2022)。https://doi.org/10.1038/s41598 - 022 - 22575 - 5。
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