FDSOI的优点、缺点和应用。
在过去的几十年中,晶体管特征尺寸不断下降,导致性能和降低功耗的增加。消费者受益,高级电子设备变得越来越有用,有价值,更快、更高效。近年来,随着晶体管特征尺寸减少低于10 nm,它已成为越来越难以满足下一代技术的许多挑战。这样一个挑战涉及泄漏电流,现在代表了很大一部分的晶体管功耗。bulk-silicon晶体管的设计变得越来越复杂,控制漏电流。这个设计复杂性产生了需要额外的加工步骤,以及新的和昂贵的3 d结构。半导体公司,如圣微电子GlobalFoundries,三星和其他硅过程中引入了新的创新技术降低设计复杂度,减少电力需求,逐步利用他们现有的制造能力。完全耗尽的绝缘体上硅或FDSOI,是一个平面的过程技术带来的好处减少硅几何图形,简化了生产流程。这个过程依赖于两个主要的创新技术。首先,一层超薄的绝缘子,叫做埋氧化,定位基础上硅。 Then, a very thin silicon film is used to form a transistor channel. Due to the thin film silicon structure, there is no need to dope the channel, thus making the transistor “fully depleted”. The combination of these two innovations is called “Ultra-Thin Body and Buried oxide Fully Depleted SOI” or UTBB-FDSOI. In this paper, we will first describe SOI (Silicon on Insulator) wafers and their characteristics. We will then discuss FDSOI technology, including the main benefits of this technology, differentiation with FinFET technology, and key applications.
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