丰田汽车的动力转向集成电路;silicon-on-nothing finFETs;纳米线场效应晶体管。
丰田汽车的动力转向集成电路
今天的汽车是利用更多的电子产品。电子内容的增加驾驶需要高温和高压芯片。
电动助力转向(EPS)系统就是一个例子。每股收益提供力量帮助即使发动机停止。它也提高了燃油经济性相比,液压动力转向,根据汽车巨头丰田。
在汽车中,每股收益是由电子控制单元(ECU)。它由一个提高转换器和一个三相逆变器驱动三相无刷电动机,根据丰田。开关电源控制器,并产生一种栅极驱动电压,也是必需的。
丰田本身EPS应用程序已经开发了一个驱动器集成电路。ASIC已经制造使用内部SOI-BCD过程,可操作的最大电压80 v和温度从-40°C到175°C。
ASIC驱动器,和下部设备电源模块。“EPS的ASIC应用集成在门口的司机提高转换器和(a)三相逆变器,”据丰田。“每一个阶段有一个电源端子和接地端子。ASIC的芯片尺寸是3.8毫米×3.6毫米。”
Silicon-on-nothing finFETs
IBM,意法半导体和GlobalFoundries开发了几个制造技术,使介质隔离(DI) finFET。
DI finFET基本上是一个绝缘体(SOI) finFET。两个技术,包括通过STI(机器人)和底部氧化silicon-on-nothing(儿子)过程可以被用来制造DI finFETs。DI finFETs也便宜的散装基质,而不是绝缘体(SOI)衬底。
“介质隔离(DI) finFETs表现出优越的静电控制相比,大部分finFET无需重sub-fin击穿现象停止兴奋剂,从而增加设备变化,”最近的一篇论文显示这三家公司。
在机器人的过程中,硅鳍是第一大块衬底上形成的。这是通过使用当地的氧化物隔离,一定程度上填补了鳍之间的差距。然后,一层薄薄的限制氮化硅沉积在上方的长须鲸和坚硬的面具。
氮化后打开薄层在水平表面各向异性腐蚀,删除本地氧化物隔离和裸露的硅是内向横向各向同性腐蚀,”根据。“差距鳍充满oxide-an机械稳定性的重要一步。鳍片的底部氧化从双方到活跃鳍从衬底是孤立的。限制氧化氮化和部分删除,离开鳍站在氧化物。”
与此同时,在另一种儿子finFET的过程,一个鳍是由蚀刻tri-layer Si /代替纯硅锗硅/ Si堆栈。”随后门和逆电流器形成机械锚固鳍。选择性蚀刻与HCl只删除锗硅硅,而不是创建一个活跃的鳍和底物之间的隧道。最后,隧道充满了介电材料,如氧化。最后从衬底鳍是电气隔离,”据报导。
纳米线场效应晶体管
纳米线晶体管是下一代的未来候选人之一晶体管竞赛。在某些方面,纳米线晶体管3想设备,纳米线堆积在彼此之上。
在此之前,CEA-Leti和其他人证明uniaxially-strained,Ω-gate纳米线晶体管。使用应变绝缘体(sSOI)场效应电晶体的过程,研究人员开发出一种设备10 nm门的长度。
在其最新的工作,CEA-Leti以及意法半导体和Soitec先进的技术。研究人员研制出了一种Ω-gate纳米线在compressively-strained-SiGe-on-insulator PFETs cSGOI衬底。使用锗(GE)浓缩技术,研究人员开发出设备15海里。
流,cSGOI过程始于12海里的外延硅锗(锗硅)300毫米的毯子SOI晶片电影。设备经过通道形成过程,之后为了活跃模式,门堆栈(high-k /金属门),间隔一形成,原位硼掺杂的源/漏,植入物,退火,compressively-strained一步。
cSGOI基质是捏造的锗浓度为20%,据研究人员。下的锗硅厚度HfSiON /锡门是11.5海里。“空穴迁移率改善所提供的强大的单轴压缩应变来自cSiGe和cCESL导致了离子电流提高95%,LG = 15海里,”根据。“SGOI纳米线基于通用电气浓缩技术显示高性能(离子= 860μa /μm IOFF = 14 na /μm)的静电学(DIBL = 110 mv / V)”。
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