把热转换成电能;分层氧化物半导体;控制光子芯片温度。
研究国家标准与技术研究院(NIST)和科罗拉多大学博尔德的设备来提高的转换的热量转化成电能。
涉及的技术沉淀氮化镓的成千上万的微观列在硅片上。硅层然后从晶圆背面,直到只剩下一层很薄的材料。柱子之间的交互和硅表慢传输热量的硅,使更多的热量转换为电流。
一旦制造方法的完善,硅表可以缠绕在蒸汽或排气管排放的热转化为电力,电力设备附近或交付给电网。另一个潜在的应用程序将冷却电脑芯片。
塞贝克效应的方法是基于,温差引起的电压在两种不同金属之间的连接,使电流从炎热地区寒冷,创建一个磁场。材料必须进行差热为了维持两个地区之间的温差而导电非常好把热量转化成大量的电能。
研究人员发现,这些属性可以在薄膜覆盖着nanopillars解耦。他们能够减少21%的硅板的导热不降低其导电性或改变塞贝克效应。
团队正在致力于结构完全捏造的硅和更好的几何热电热回收。研究人员希望展示一个heat-to-electricity转化率高到足以使他们为工业技术经济可行的。
半导体温度和电气性能由局部声子共振解耦:https://doi.org/10.1002/adma.202209779
东京大学的研究人员报告沉积过程为multi-gate nanosheet氧化物场效应晶体管,它结合了高载流子迁移率和可靠性特征与关操作。他们专注于原子层沉积(ALD)的场效应晶体管InGaOx通道和InSnOx电极。
研究小组指出,氧化物半导体低温处理,同时还具有高载流子迁移率和低电荷泄漏,并能够承受高电压。使用氧化物也有优势,而不是金属过程中电极在集成过程中可能暴露于氧气氧化。
然而,开发过程需要可靠的存款非常薄层氧化物半导体材料的生产设备是具有挑战性的。
“用我们的过程中,我们进行了系统的研究的场效应晶体管(fet)建立其局限性和优化它们的属性,“说Kaito Hikake东京大学的。“我们调谐组件和调整后的比例制备条件和我们的发现导致了发展multi-gate nanosheet场效应晶体管关操作和高可靠性。”
“在快速移动电子产品等领域,是非常重要的概念验证结果转化为工业相关流程,“添加Masaharu小林,东京大学的副教授。“我们相信,我们的研究提供了一个健壮的技术,可用于生产设备,满足市场的需要可制造的三维集成电路具有高功能”。
肾上腺白质退化症患者InGaOx Nanosheet氧化物半导体场效应晶体管使用通道和InSnOx电极常关操作,高机动性和可靠性对3 d集成设备:VLSI研讨会2023
俄勒冈州立大学的研究人员和贝勒大学正在减少能源消耗的光子芯片用于数据中心和超级计算机。
重要的能源需要保持光子芯片的温度稳定的最佳性能。研究小组说,他们已经找到一种方法来减少温度控制所需的能量超过100万倍。
团队展示gate-tuning芯片上的波分复用(WDM)过滤器与大波长覆盖整个信道间隔使用硅microring谐振器(Si-MRR)阵列由高流动性titanium-doped氧化铟(ITiO)盖茨。
“我们能够使工作原型显示温度可以通过栅电压控制,这意味着使用几乎没有电流,”俄勒冈州立大学的工程学院的约翰·康利说。
集成Si-MRRs显示波长可调谐性589点/ V,或VπL 0.050 V厘米的高质量的5200倍。芯片上的WDM过滤器,它包括四个级联ITiO-driven Si-MRRs,可以不断调整在1543 - 1548纳米波长范围与接近零功耗门偏见。
芯片上的波分多路复用过滤器使用极其高效gate-driven microring硅谐振器数组:https://www.nature.com/articles/s41598 - 023 - 32313 - 0
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