也许是时间再看看SOI,特别是对于下一轮的平面和finFET设备。
芯片制造商能够奢侈的看着几个过程选项在开发芯片的28 nm节点和超越。
例如,使用散装CMOS芯片制造商可以扩展平面晶体管20海里。在20 nm,平面耗尽天然气由于所谓的短沟道效应。在这一点上,IC制造商必须迁移对finFETs 16 nm / 14 nm。
另一个进程选项耗竭绝缘体(FDSOI)技术,在市场上已好几年了。然而,迄今为止,FDSOI仍然是一个利基和仍在试图获得广泛采用。事实上,大部分的设计使用散装CMOS今天。和之前一样,IBM和意法半导体芯片制造商使用FDSOI很少。
FDSOI使用超薄层氧化硅在埋来减少渗漏和变异。FDSOI还拥有一个反偏压特性。敲FDSOI之一是成本。SOI基板比散装互补金属氧化物半导体晶片更贵。
然而,现在可能是时候再看看FDSOI。在最近一段时间,有一些重大举措在舞台上,为芯片制造商提供新的选择。例如,今年早些时候,三星宣布计划为28 nm FDSOI提供铸造服务技术。
最近,SOI行业已经修改了FDSOI路线图。以前,这个行业计划扩展平面FDSOI三代的28 nm, 14海里,然后到10纳米。20 nm FDSOI并不在该行业的路线图。然后,该行业将提供在SOI finFETs 7海里。
现在,该行业正在开发一个20 nm FDSOI过程。在SOI和IBM计划领域finFETs 14 nm和/或10 nm。换句话说,SOI产业扩张,如果没有加速,其路线图。
GlobalFoundries,计划在2015年场FDSOI 20 nm制程工艺,根据迈克Mendicino,产品管理高级主管硅铸造供应商。GlobalFoundries也是一个28 nm FDSOI铸造。“我们看到很多客户的兴趣(FDSOI),”他说。“还有一个地方FDSOI市场。”
不过,最引人注目的市场FDSOI驻留在28 nm节点。28 nm预计将长时间运行的节点。但是,大部分CMOS阵营不会放弃28 nm市场那么容易。台积电,例如,最近扩大了阵容过程用一个新的和廉价的28 nm散装CMOS导数。此外,台积电刚刚推出了一个新的超低功率过程55纳米,40 nm和28 nm节点。
finFET方面,与此同时,英特尔是其第二代finFET航运技术基于14 nm流程和批量CMOS。其他铸造厂准备他们最初16 nm / 14 nm finFETs,也基于批量。英特尔以及铸造厂,驳回了SOI散装。
英特尔的14 nm制程迟到了大约六个月由于产量问题。和其他铸造厂目前面临各种各样的问题与他们的bulk-based finFETs 16 nm / 14 nm。和挑战预计将增加10 nm节点。
对于finFETs,它可能是时间再次认真审视SOI。IEEE s3在最近的会议上,IBM描述了SOI finFET技术10 nm,据说是一个比散装finFETs更简单的过程。“我们的结论和预后,SOI是,是,并将继续在技术上优越的选择,”特伦斯钩说,IBM的高级技术人员,在纸上。“一旦与所需的晶片厚度,形成鳍是盲目地简单。相比之下,形成鳍所需的维度的大块衬底填补至少需要三个额外的步骤,波兰和腐蚀。虽然已经取得了显著的进展在提高批量的控制过程中,散装的基本控制能力仍比SOI的三倍。”
当然,还有许多散装和SOI finFETs之间的权衡。SOI患有潜在成本和生态问题。“两个潜在担忧SOI-based finFETs已经自动加热的效果,不足的能力施加应变通道从源/漏区,“钩说。”,而这两个方面可能感兴趣的一些10 nm节点,未来发展方向的技术使得这些问题毫无意义——与其说是因为SOI finFETs不会那么容易受到这些担忧,而是因为大部分设备将变得更加如此。”
底线是什么呢?芯片制造商,谁能拒绝一个特定的技术选项之前,应该保持一个开放的头脑。它永远不会伤害探索所有选项在一个充满挑战的市场。
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