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标签:平面

平面:一个可编程的加速器Near-Memory数据重排
通过手臂2022年10月- 12 -评论:0

许多应用程序使用不规则和稀疏内存访问,不能利用现有缓存层次结构的高性能处理器。为了解决这个问题,数据布局(DLT)技术重新排列稀疏数据转变成一个密集的代表,提高位置和缓存的利用率。然而,之前的提议在这个空间无法提供一个设计与m (i)尺度…»阅读更多

高效和有效的平面EM的最佳实践模拟
通过节奏- 4月21日,2021 -评论:0

设计师今天复杂的多功能通信产品需要准确、快捷电磁(EM)仿真提供具有成本效益的、高性能的产品市场比重的机会窗口。节奏的心田AXIEM 3 d平面矩量法(MoM)新兴市场分析在心田模拟器软件投资组合提供了准确性,能力,和速度设计师…»阅读更多

伟大的不平衡
通过埃德·斯珀林——7月23日,2015 -评论:2

对芯片制造商选项的数量增长,芯片制造商的数量正在减少。这对半导体行业意味着什么?简短的答案是:没有人确切知道。但更多的人开始问这个问题这些天,包括投资者和分析师。这里有许多因素在起作用。首先,有更多的节点选择比…»阅读更多

时间再来看看SOI
通过马克LaPedus10月- 16,2014 -评论:0

芯片制造商能够奢侈的看着几个过程选项在开发芯片的28 nm节点和超越。例如,使用散装CMOS芯片制造商可以扩展平面晶体管20海里。在20 nm,平面耗尽天然气由于所谓的短沟道效应。在这一点上,IC制造商必须迁移对finFETs 16 nm / 14 nm。另一个进程选项是完全…»阅读更多

Leti轮廓FDSOI和单片3 d IC路线图
通过马克LaPedus11月- 14,2013 -评论:0

半导体工程讨论了完全耗尽的未来路线图绝缘体(FDSOI)技术和单片3 d芯片与莫德Vinet CEA-Leti创新设备实验室经理。SE:正在开发的一些技术创新设备实验室吗?Vinet:创新设备实验室参与先进CMOS。所以基本上……»阅读更多

移动多媒体soc FD-SOI最好FinFETs吗?圣说,是的。
通过不同的作家11月29日,2011 -评论:0

ASN在最近和优秀的文章由托马斯•Skotnicki意法半导体先进设备项目的主管,他在一个非常明确的和可以理解的方式解释了为什么FD-SOI超薄身体&盒(UTBB)是一个更好的解决方案为移动,比FinFETs多媒体soc——从28 nm节点和运行显然通过8海里。它是基于他的论文在2011年IEEE SOI C…»阅读更多

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