标签:大部分互补金属氧化物半导体

大部分CMOS与FD-SOI
通过马克LaPedus——5月19日,2016 -评论:2

芯片的前沿市场越来越多的分歧是否搬到finFETs还是呆在28 nm使用不同的材料,甚至可能先进包装。决定采取哪种方法常常归结为表现,权力,形式因素,成本,和个人的成熟技术。所有这些可以通过市场变化,通过供应商和过程…»阅读更多

提高栅栏,挖一条隧道,建一座桥
通过埃德·斯珀林- 9月17日,2015 -评论:0

有三个主要芯片制造商的选择在接下来的十年。他们所选择的选项取决于个人的需要,人才,多少和什么样的分化他们认为重要的。选项大致分为三个categories-fence、桥梁或隧道。栅栏选项而不是改变任何东西,整个生态系统能够坚持卫生大会……»阅读更多

FD-SOI满足物联网
通过安Mutschler2015年2月- 05(-评论:1

绝缘体制造技术已经讨论了许多年。IBM已经使用了部分耗尽SOI的变化在其服务器产品,但完全耗尽版本尚未找到广泛采用mil /航空和汽车以外的市场。这可能会改变在物联网中的应用斜坡,鉴于超....低功耗和低成本的要求»阅读更多

时间再来看看SOI
通过马克LaPedus10月- 16,2014 -评论:0

芯片制造商能够奢侈的看着几个过程选项在开发芯片的28 nm节点和超越。例如,使用散装CMOS芯片制造商可以扩展平面晶体管20海里。在20 nm,平面耗尽天然气由于所谓的短沟道效应。在这一点上,IC制造商必须迁移对finFETs 16 nm / 14 nm。另一个进程选项是完全…»阅读更多

在28 nm枪战
通过埃德·斯珀林——5月15日,2014 -评论:0

艾德·斯珀林&马克LaPedus三星、Soitec和意法半导体在28 nm FD-SOI加入部队,创建一个摊牌与台积电和其他最好的单井网流程和材料和质疑公司需要多快finFET技术一代。多源的生产合作协议完全耗尽silicon-on-insulato……»阅读更多

电力移动
通过埃德·斯珀林4月- 10,2014 -评论:2

几乎所有的演讲发表关于半导体设计或制造这些相互每个最终产品规范,使用先进technology-incorporates参考和/或能源。它已成为最持久,问题最多,当然谈论最多的问题从观念到市场应用。和谈话只会变得响亮……»阅读更多

铸造的军备竞赛
通过马克LaPedus- 2月21日,2013 -评论:0

由马克LaPedus一年前,芯片制造商受到严重短缺的28 nm铸造能力,促使铸造厂加大他们的晶圆厂以惊人的速度增长。当时,铸造厂无法跟上移动芯片的巨大和不可预见的需求。造成的缺口也低收益率和整体缺乏28 nm装机容量。今天,28 nm危机很大程度上是ov……»阅读更多

应对变化
通过巴里Pangrle7月- 12,2012 -评论:0

巴里Pangrle过程、电压和温度、PVT是众所周知的设计师正在努力完成“签收”的设计。为了设计生产就绪,这是必要的,以确保设计会产生部分在盈利能力和足够高的百分比,它仍将在预期的变化的过程和…»阅读更多

SOI使用芯片设计师重要吗?
通过不同的作家8月19日,2011 -评论:0

由阿黛尔神秘圣地的SOI和大部分讨论零在制造业的底线:哪个更便宜?和绝对,客户希望最具成本效益的解决方案。但最好的所有可能的世界如果你可以节省他们的钱,给他们所有的钟声和口哨声他们寻找,,对吧?(标题id =“attachment_150”=“alignleft”宽度= " 150 "对齐capti……»阅读更多

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