标签:晶体管

二维材料晶体管中接触电阻的降低
通过技术文件链接- 2023年3月10日-意见:0

近日，国立阳明交通大学的研究人员发表了一篇题为“硫磺原子在界面被替换的WS2晶体管:第一性原理量子输运研究”的新技术论文。“降低接触电阻是开发二维材料晶体管的主要挑战之一。在本研究中，我们执行第一性原理…»阅读更多

你能走多低?推动晶体管的极限
通过Synopsys对此- 2023年3月8日-意见:0

深度低压支持嵌入式存储器和逻辑库，以实现极低功耗:对尖端移动、物联网和可穿戴设备的需求不断增长，以及对AI和5G/6G通信的高计算需求，推动了对低功耗片上系统(soc)的需求。这不仅是设备有源时(动态功率)的功耗问题，而且是当…»阅读更多

基于深度神经网络学习的模拟晶体管尺寸异步并行优化方法
通过技术文件链接- 2023年3月3日-意见:0

UT Austin和Analog Devices的研究人员发表了一篇题为“APOSTLE:使用DNN学习对模拟晶体管进行异步并行优化”的新技术论文。“模拟电路的规模计算在人工投入和计算时间上是一个高成本的过程。随着科技的快速发展和市场需求的不断提高，自动化生产将成为一项重要的产业。»阅读更多

能够模拟突触行为的生物相容性双层石墨烯基人工突触晶体管(BLAST)
通过技术文件链接- 2022年8月10日-评论:0

德克萨斯大学奥斯汀分校和桑迪亚国家实验室的研究人员发表了这篇题为“用于提高精确神经形态计算的化生和高效生物兼容石墨烯人工突触晶体管”的新技术论文。摘要:采用冯·诺依曼架构的基于cmos的计算系统在para…»阅读更多

改进的石墨烯基异质结晶体管与不同的集电极半导体高频应用
通过技术文件链接- 2022年4月10日-意见:0

德累斯顿工业大学及其他人的新研究论文。“一种新型的晶体管器件与石墨烯单层嵌在两个n型硅层之间制作和表征。该器件被称为石墨烯基异质结晶体管(GBHT)。基极电压控制从发射器通过石墨烯流向收集器的器件电流。运输时间…»阅读更多

过渡金属氮化卤化物晶体管用过渡金属氮化卤化物介质
通过技术文件链接- 2021年12月20日-意见:0

摘要:利用第一性原理计算，我们研究了六种过渡金属氮化卤化物(TMNHs): HfNBr, HfNCl, TiNBr, TiNCl, ZrNBr和ZrNCl作为过渡金属二卤族化物(TMD)通道晶体管的潜在范德华斯(vdW)介质。计算了剥离能和本体声子能，发现六个tmnh都是可剥离的，热力学稳定。»阅读更多

功率/性能位:3月31日
通过杰西·艾伦- 2020年3月31日-评论:0

来自普渡大学、圣路易斯华盛顿大学、德克萨斯大学达拉斯分校和密歇根理工大学的研究人员提出，稀土元素碲可以作为超小型晶体管的潜在材料。碲被封装在氮化硼制成的纳米管中，有助于构建直径为两纳米的场效应晶体管。�…»阅读更多

7nm系列
通过埃德·斯珀林- 2019年4月4日-评论

7nm设计的数量正在爆炸式增长。仅Cadence公司就报告了80个新的7纳米芯片正在设计中。那么，为什么是现在?这一切意味着什么?首先，7nm似乎是下一个28nm。这是一个重要的节点，它与整个行业正在发生的一系列广泛趋势相交叉，所有这些趋势都以某种方式涉及人工智能。现在最大的问题是他们中有多少人能活得久……»阅读更多

2018年热门新闻
通过布莱恩•贝利- 2018年12月20日-评论:0

每年，我都会回顾一下人们喜欢阅读的文章。在半导体工程公司，每年让我惊讶的第一件事是，对年初发表的文章的强烈偏见似乎从来没有出现过。今年也是如此。排名靠前的文章中，超过一半是在7月份之后发表的。第二件不变的事情是人们喜欢……»阅读更多

功率/性能位:7月18日
通过杰西·艾伦- 2017年7月18日-评论:0

麻省理工学院(MIT)和卡内基梅隆大学(Carnegie Mellon University)的研究人员设计了一种动态重新分配缓存访问权限的系统，以根据特定程序的需要创建新的“缓存层次结构”。这套系统被称为叠叠游戏，它能区分组成共享缓存的各个内存库的物理位置。对于每个核，叠叠乐知道它需要多长时间。»阅读更多

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