德累斯顿工业大学及其他人的新研究论文。
摘要
“一种新型晶体管器件与石墨烯单层嵌在两个n型硅层之间被制造和表征。该器件被称为石墨烯基异质结晶体管(GBHT)。基极电压控制从发射器通过石墨烯流向收集器的器件电流。电子通过超薄石墨烯层的传输时间非常短，这使得该设备在高频rf电子方面非常有前景。该器件的输出电流是饱和的，并被基电压明显地调制。此外，GBHT的硅集热器被锗取代，以提高器件性能。这使得集电极电流几乎增加了三个数量级。此外，共发射极电流增益(Ic/我b)从103到新设计的设备的0.3左右。然而，到目前为止，改进的锗基GBHT的通断比相当低。为了充分开发石墨烯基异质结晶体管的潜力，还需要进一步的优化。”
找到开放获取这里是技术文件．2022年出版。
Carsten Strobel, Carlos Chavarin, Sebastian Leszczynski, Karola Richter, Martin Knaut, Johanna Reif, Sandra Voelkel, Matthias Albert, Christian Wenger, john Wolfgang Bartha, Thomas Mikolajick。先进材料通讯，2022年，第13卷，第1期，第221 -1688页。
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