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高na EUV使EUV掩模的未来更加复杂


eBeam Initiative在2022年进行的第11次年度灯具调查报告称,EUV推动了半导体掩模行业的增长,而专家小组在9月底与SPIE掩模技术会议同时举行的活动中引用了转向高na EUV的一些复杂性。代表来自整个半导体生态系统的44家公司的行业名人…»阅读更多

小功能的高价格


半导体行业对更高数值孔径的推动是由NA和临界尺寸之间的关系驱动的。随着NA的上升,CD下降:λ是波长,k1是过程系数。虽然0.55 NA曝光系统将提高分辨率,但Synopsys的首席工程师Larry Melvin指出,较小的特征总是与一个过程有关,因为……»阅读更多

覆盖如何与EUV图案保持同步


覆盖计量工具提高精度,同时提供可接受的吞吐量,解决日益复杂的设备的竞争需求。在一场永无止境的竞争中,领先设备的产品覆盖公差正在迅速缩小。对于3nm一代(22nm金属间距)器件来说,它们都在个位数纳米范围内。新的覆盖目标,机器学习,和im…»阅读更多

纳米片fet驱动计量和检测的变化


在摩尔定律的世界里,更小的节点导致更大的问题已经成为了一个真理。随着晶圆厂转向纳米片晶体管,由于这些和其他多层结构的深度和不透明性,检测线边缘粗糙度和其他缺陷变得越来越具有挑战性。因此,计量学正在采取更多的混合方法,一些著名的工具正在移动……»阅读更多

高na EUV可能比看起来更近


高na EUV有望缩小至埃级,为晶体管数量更高的芯片以及一波全新的工具、材料和系统架构奠定了基础。在最近的SPIE先进光刻会议上,英特尔光刻硬件和解决方案总监Mark Phillips重申了该公司在高端市场部署该技术的意图。»阅读更多

在蚀刻室原位进行ASD工艺


来自TEL技术中心、美洲和IBM研究中心的新研究论文“等离子体基区域选择性沉积用于降低极紫外抵抗缺陷和改善工艺窗口”。摘要:“极紫外(EUV)光刻技术已经克服了重大挑战,成为逻辑缩放路线图的重要推动者。然而,它仍然受到stocha…»阅读更多

IC制造材料和工艺的巨大变化


Brewer Science的CTO Rama Puligadda接受了《半导体工程》杂志的采访,讨论了半导体制造、封装和材料的一系列广泛变化,以及这将如何影响整个供应链的可靠性、工艺和设备。SE:牺牲材料在半导体制造中扮演什么角色,在新的工艺节点上有什么变化?Puliga……»阅读更多

新一代掩模的未解决问题


专家会议:半导体工程公司坐下来讨论光学和EUV掩模问题,以及掩模业务面临的挑战,DNP研究员Naoya Hayashi;Peter Buck,西门子数字工业软件MPC和掩模缺陷管理总监;Hoya技术战略高级总监Bryan Kasprowicz;以及D2S首席执行官藤村昭。f…»阅读更多

3nm及以上的掩模挑战


专家会议:半导体工程公司坐下来讨论光学和EUV掩模问题,以及掩模业务面临的挑战,DNP研究员Naoya Hayashi;Peter Buck,西门子数字工业软件MPC和掩模缺陷管理总监;Hoya技术战略高级总监Bryan Kasprowicz;以及D2S首席执行官藤村昭。f…»阅读更多

光掩模的业务和技术挑战增加


专家会议:半导体工程公司坐下来讨论光学和EUV掩模问题,以及掩模业务面临的挑战,DNP研究员Naoya Hayashi;Peter Buck,西门子数字工业软件MPC和掩模缺陷管理总监;Hoya技术战略高级总监Bryan Kasprowicz;以及D2S首席执行官藤村昭。f…»阅读更多

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