利用分子掺杂控制单层WS2场效应管中的肖特基势垒高度


NIST、Theiss research、Naval research Laboratory和Nova research的研究人员发表了一篇题为《利用分子掺杂控制单层WS2 fet中的肖特基势垒高度》的新研究论文。摘要:“开发可控制地掺杂二维半导体的工艺对于实现下一代电子和光电子器件至关重要。波形的……»了解更多

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