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标签:MTJ

Scatterometry-Based MRAM技术的方法来描述
通过新星1月18日,2023 -评论:0

磁阻的随机存取存储器(MRAM)技术和最近的事态发展在制造过程中已经表明它是兼容Si-based互补金属氧化物半导体(CMOS)技术。垂直自旋转移力矩MRAM (STT-MRAM)配置为一个超密度MRAM打开了机会之进化和最广泛的用于其可伸缩性。插入……»阅读更多

高性能记忆:小说横向双磁隧道结(MTJ)和正交偏振器
通过技术论文链接11月17日,2022 -评论:0

一个新的技术论文题为“横向双磁隧道结装置与正交偏振器高性能磁阻的记忆”是汉阳大学的研究人员发表的。发现这里的技术论文。2022年11月出版。罪,S。,哦,美国横向双磁隧道结装置与正交偏振器高性能磁阻的记忆....»阅读更多

抗辐射非易失性磁铁闩,容忍鼻烟和DNUs
通过技术论文链接9月- 13,2022 -评论:0

研究论文题为“抗辐射和高可靠性和持久性存储非易失性磁锁”是安徽大学的研究人员发表的,合肥工业大学,LIRMM, Kyutech。根据文摘:“基于先进triple-path dual-interlocked-storage-cell (TPDICE)和mtj,本文提出一种抗辐射非易失性magneti……»阅读更多

下的覆盖和对齐标记成像使用微微秒激光声测量不透明层
通过上的创新- 09年11月,2021 -评论:0

光学不透明材料带来的一系列挑战semi-damascene校准和叠加的过程流或处理后的磁隧道结(MTJ)磁性随机存取存储器(MRAM)。覆盖和对齐模式的模式定义的光刻层和底层设备操作基本在所有多层patterne……»阅读更多

一个紧凑的可伸缩MTJ仿真模型
通过技术论文链接8月24日,2021 -评论:0

阅读完整的技术论文。6月9日,2021年出版。摘要提出了一种基于物理建模框架的分析和瞬态模拟电路包含自旋扭矩(STT)磁隧道结(MTJ)设备。框架提供的工具来分析随机行为mtj和生成Verilog-A紧凑模型模拟在守护神…»阅读更多

电力/性能:5月10日
通过杰西·艾伦2021年5月- 10 -评论:0

概率一点东北大学的研究人员正致力于构建概率计算机通过开发一个spintronics-based概率(p-bit)。研究人员利用磁隧道结(mtj)。最常用的MRAM技术,热波动通常构成威胁稳定的存储信息,在这种情况下这是一个好处。f p位……»阅读更多

MRAM在多个方向发展
通过布来安梅奥2021年3月- 11 -评论:1

磁阻的随机存取存储器(MRAM)是为数不多的几个新的非易失性内存技术针对广泛的商业可用性,但设计MRAM芯片和系统不是简单地添加其他类型的内存。MRAM不是all-things-for-all-applications技术。需要调整的目的。mram针对flash也不针对sram,和副更小……»阅读更多

对soc测试嵌入式MRAM IP
通过Synopsys对此2020年3月- 11 -评论:0

嵌入式记忆测试和维修的挑战是众所周知的,以防止测试包括最大限度地提高故障覆盖率逃脱并使用备用元素制造业产量最大化。激增的有前途的非易失性内存架构的可用性增强,有可能取代传统挥发性记忆,一套新的SoC水平记忆测试和修复挑战新兴……»阅读更多

MRAM过程开发和生产简报
通过杰夫·巴纳姆2020年3月- 10 -评论:0

孟博士朱,罗马Sappey博士和杰夫·巴纳姆MRAM(磁阻的随机存取内存)是一种非易失性内存(NVM)利用磁州来存储信息。MRAM的基本结构是一个磁隧道结(MTJ),由两层铁磁(FM)隔开一个绝缘隧道结(图1)。当两个磁性的磁化……»阅读更多

驯服小说NVM非确定性
通过布来安梅奥2020年3月- 10 -评论:1

新的内存技术可能不确定的特点,添加校准测试负担,一生中可能需要调整。这些记忆是发展的结果搜索记忆存储类(SCM)技术,桥梁之间的差距大,记忆像flash和更快的DRAM内存慢。有几个出路……»阅读更多

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